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第十四讲 三极管基本放大电路的演变
关于三极管的一些主要参数可参见相关书籍。这里给出一些三极管的参数名词
1：直流电流放大系数（或叫静态电流放大系数，放大系数也叫放大倍数）β，注意符号β的上方有上划线。
描述的是集电极电流和基极电流的比值，在放大区内近似为常数，大约在20~400范围内为合格，有些超β管子达到1000倍，β越大，其放大能力越强，但是会带来其他负面影响，如击穿电压会偏低，漏电流会偏大，这都是不利的。三极管基区越窄，其发射区的多数载流子越容易越过基区到达集电区，其β就越大，显然击穿电压就会降低；而发射区加大多数载流子的扩散量，其到达集电区的载流子数量就越多，β越大，此时在相同温度下，本征激发的自由电子空穴对的数量也增多，当然其漏电流也增大。
β=IC/IB（C和B为下标）
2：交流电流放大系数（或叫动态电流放大系数）β，符号β的上方没有上划线。
这是描述集电极电流变化量与基极电流变化量之比，在远离截止区的放大区内，其β与β近似相等相等。
β=ΔIC/ΔIB（C和B为下标）
或
β=iC/ΔiB（C和B为下标）
3：最大允许的集电极电流ICM（CM为下标）
4：饱和压降VCES（CES为下标）
5：集电极耗散功率PCM（CM为下标）
6：反向击穿电压，有三个，BVCEO（CEO为下标），BVCBO（CBO为下标），BVEBO（EBO为下标）
说明一下：BVEBO这个参数较小，所有的管子大约不会超出4V~8V这个范围，6V以下的称齐纳击穿，6V以上的称雪崩击穿，6V左右的有的是齐纳击穿有的是雪崩击穿，雪崩击穿和齐纳击穿请参见相关书籍说明。
高反压管：一般将BVCEO大于100V的称高反压管，表示可以工作在高电压下，如彩色电视机的视频放大管要达到250V以上，彩色电视机的行输出管要大于1500V等，大多数小功率管子在30V~50V。
一个管子的BVCBO略大于BVCEO。
7：反向饱和电流，有三个，ICES（CES为下标）、ICBS（CBS为下标）、IEBS（EBS为下标），其中ICES还叫穿透电流。该参数越小性能越好越好。
三极管的放大电路是基于描述原理的结构图演变而来，我们来回顾下。
这就是基本放大电路的直流通路了。下一节对基本放大电路的直流通路的直流参数（也叫静态参数）予以分析，到时要区别电路参数和三极管参数。
[ 本帖最后由 yifei 于 2009-11-13 22:46 编辑 ] |
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