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一粒金砂(初级)

楼主
 

紧急求教一个电路 很茫然 [复制链接]

我只知道是三轴位置传感器接口电路 也不知道是不是 高手来讲解一下哈 谢谢

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传感器的类型很多,包括这种差动式电容位置传感器.原理不是很复杂:就是用脉冲型恒流源(对应你的图纸上的00,01,10方波脉冲)分别为成对的两个传感电容充电,由于机械(几何)位置的变动体现为电容的容量改变,而且是反向变化.这样两个充电曲线就会产生相应的偏差.即充电曲线斜率的差异.利用比较器再把这个偏差变换成时间(即:位置变化->容量变化->斜率的差异->时间间隔*脉冲宽度(就是计算机可处理的量).至于偏差信号的产生则取决于你的实际应用限定的判则,不敢贸然议论,原谅.   >>>  详情 回复 发表于 2008-6-15 06:57
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纯净的硅(初级)

沙发
 
这个要看看手册了 我没有用过
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一粒金砂(初级)

板凳
 
什么手册 能告诉一下么 我好去查去哦
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一粒金砂(初级)

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位置传感器的接口电路

这个是位置传感器接口电路 框图
可以仿真做出来 谁来解释一下啊 晕了

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纯净的硅(初级)

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三个方向的数据都是正确的 仿真结果是真确的 你这个传感器是什么型号 找个pdf文件看看 我觉得是正确的 没什么好说的啊 你写程序的时候就按照这样来操作就可以了
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一粒金砂(初级)

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哦 版主 我是想理解一下他的原理 为什么输出 过程和形成的原理啊 我以前是学计算机的 刚换到半导体 直接扔给我一堆电路图 我看的有点心碎
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一粒金砂(高级)

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原理的理解

传感器的类型很多,包括这种差动式电容位置传感器.原理不是很复杂:就是用脉冲型恒流源(对应你的图纸上的00,01,10方波脉冲)分别为成对的两个传感电容充电,由于机械(几何)位置的变动体现为电容的容量改变,而且是反向变化.这样两个充电曲线就会产生相应的偏差.即充电曲线斜率的差异.利用比较器再把这个偏差变换成时间(即:位置变化->容量变化->斜率的差异->时间间隔*脉冲宽度(就是计算机可处理的量).至于偏差信号的产生则取决于你的实际应用限定的判则,不敢贸然议论,原谅.  
<<<<既然 “直接扔给我一堆电路图 我看的有点心碎”,如果没有秘密可言,何不拿出来,大家一起分析。我看到你很着急>>>>
<<<< 另:读出电路 ROIC没有什么原理上的困难吧?>>>>>>
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