maychang

零下12度半 发表于 2015-9-12 19:20
哦哦，对，应该是这样理解

原书说：“Tr2的集电极-发射极间电压……而是Tr2的VBE(0.6～0.7V)”是不对的，应该是Tr2的VBE再加上Tr1的饱和压降。数值上也不是0.6～0.7V，通常要达到1V甚至更高。

maychang

迈尔风随 发表于 2015-9-12 21:01
请教一下，如果把右边的10K电阻去掉应该也是可以的吧

去掉不好，通常应该保留。
去掉后，输入为零时Tr1的穿透电流完全流入Tr2基极，经Tr2放大后电流更大。有了该电阻，穿透电流在电阻上的电压降不足以使Tr2发射结导通，Tr2集电极电流仅仅是Tr2的穿透电流。

迈尔风随

maychang 发表于 2015-9-12 14:29
去掉不好，通常应该保留。
去掉后，输入为零时Tr1的穿透电流完全流入Tr2基极，经Tr2放大后电流更大。有 ...

对这一句不是很理解“去掉后，输入为零时Tr1的穿透电流完全流入Tr2基极，经Tr2放大后电流更大。”，当输入为0时，Tr1的穿透电流从哪里来呢，又怎么会被Tr2吸收呢，此时Tr1和Tr2不是都没有导通吗？

maychang

迈尔风随 发表于 2015-9-12 23:12
对这一句不是很理解“去掉后，输入为零时Tr1的穿透电流完全流入Tr2基极，经Tr2放大后电流更大。”，当输 ...

所谓穿透电流，是指三极管基极悬空，集电极与发射极之间施加一定电压时，流过集电极的电流，当然因基极悬空，也就是发射极电流。在三极管datasheet上，常以Ice0来标注。你查查三极管的datasheet即可，或者仔细阅读模拟电路教材也可。三极管“截止”，并不是集电极电流为零，而是一个很小的数值。
对合金工艺生产的管子，尤其是锗管，穿透电流不可忽略。对平面工艺生产的硅管，穿透电流相当小，常在uA数量级。但在要求较高或者工作温度较高的场合，仍以不忽略为宜。
当然，在原图中，Tr1基极并未悬空，而是经电阻接地。此时的集电极发射极电流应该称为Icer，比穿透电流要小。

maychang

迈尔风随 发表于 2015-9-12 23:12
对这一句不是很理解“去掉后，输入为零时Tr1的穿透电流完全流入Tr2基极，经Tr2放大后电流更大。”，当输 ...

例如，《电子技术基础.模拟部分》，康华光.第5版。

迈尔风随

maychang 发表于 2015-9-12 16:12
例如，《电子技术基础.模拟部分》，康华光.第5版。

您把图贴出来，我一下子就对这个有印象了，有看到过，但是没有认真去理解在实际中的影响，谢谢您的解答，还有就是如果把这个电阻的阻值改小一些，会不会降低穿透电流的影响呢？

maychang

迈尔风随 发表于 2015-9-13 00:25
您把图贴出来，我一下子就对这个有印象了，有看到过，但是没有认真去理解在实际中的影响，谢谢您的解答， ...

改小一些，当然穿透电流的影响会更小，但同时Tr1的输出(发射极电流)的损失会增加。
该电阻数值，应该在穿透电流最大情况下，该电阻上压降远小于Tr2发射结导通电压。今该电阻为10千欧，穿透电流假定最大(温度最高时)10微安，那么电阻上压降为0.1V，是合适的。

迈尔风随

maychang 发表于 2015-9-12 17:31
改小一些，当然穿透电流的影响会更小，但同时Tr1的输出(发射极电流)的损失会增加。
该电阻数值，应该在 ...

谢谢您的释疑