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一粒金砂(初级)

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流于表面的东西不值得浪费精力争论!
请问版主,关于存储器互斥访问在STM32F1xx的实现方法有没有答复?
另,版主主,本人一点建议,既然身为ST MCU的FAE(猜测的,见谅!),而现在z主推ARM CM3架构的,我觉得版主应较深入的了解 ...
HSunrays 发表于 2010-5-20 17:24
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6楼提到的这段说明:“在CM3的技术参考手册中,推荐实现者标记出一段有限的地址,只在这段地址中适用互斥访问的规则,而不要对所有4GB都限制住。这段地址通常是从LDREX指令族给出的地址开始,长度在16字节至4K字节范围内。但芯片制造商可能更倾向严格的规则。”

我在Cortex-M3技术参考手册(见下图)中没有找到,请楼主提示一下在哪里,谢谢。

CM3_TRM_r2p0.GIF (5.36 KB)

CM3_TRM_r2p0.GIF

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                                 向同志们学习啦。
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版主,我前面引用的是宋岩《Cortex-M3 权威指南》中的一段,现在《ARM?v7-M Architecture Reference Manual》中Page A-15的《A3.4.3 Tagging and the size of the tagged memory block》即为互斥访问实现的地址描述。

DDI0403C_arm_architecture_v7m_reference_manual_errata_markup_3_0.pdf (4.6 MB)

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谢谢。我说怎么没有在Cortex-M3技术参考手册中找到呢。

确认一下,下图就是你的问题所涉及的部分:

CM3_Exclusives_Reservation_Granule.GIF (27.03 KB)

CM3_Exclusives_Reservation_Granule.GIF

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                                 我有宋岩的书,还有原文版的,但我也没有找到有关Exclusives Reservation Granule的说明。
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                                 按这段应该是4byte~512byte,但STM32种没有相关实现说明,是不是没有实现ldrex/strex指令呢?
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我在5楼就说了:“STM32使用Cortex-M3的核心,除了MPU之外,STM32实现了完整的Cortex-M3核心”,不可能单独拿出2条指令的功能,那样做等于是修改CM3内核,工作量可能不亚于设计整个STM32芯片。

13楼的朋友也证实了这一点:“ST的官网上下载的库里有LDREX和STREX相关的函数,是用嵌入汇编编写的,C程序也能调用,可见STM32应该是可以使用这两个指令的。 至于有效范围,楼主可以做实验试一下, 估计是在整个flash区域都有效的。”

其实你花这么多时间在这里纸上谈兵,不如直接做实验试一下,很快就可以得出结论的。
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                                 回28楼"其实你花这么多时间在这里纸上谈兵,不如直接做实验试一下,很快就可以得出结论的。",说得也是,只是我PCB还没做回来。
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                                 经过与设计师沟通,STM32中实现了LDREX和STREX指令,对于这样的指令LDREX  r0, [r2],只能锁住r2指向的地址,而不能锁住其它的地址。
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                                 好,谢谢相主!
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