wende

我想应该是这样的：
在开漏模式下对输入数据寄存器的读访问可得到I/O状态 ，意思是你在最后一次向寄存器写1，但是外部电路将其拉低后，你读到的也应该是0，读到的都是I/O的电平状态。
在推挽式模式时，对输出数据寄存器的读访问得到最后一次写的值，意思是读到的都是你最后写的值，而不管外部I/O口的电平是什么样。

belongto

其实从这图一下就看明白了，就电路图非常明白，但要文字说明就不太容易。

不论开漏模式还是推挽模式都是这张图。
开漏模式：输出寄存器上的’1’将端口置于高阻状态(P-MOS从不被激活)
推挽模式：输出寄存器上的’1’将激活P-MOS。
所以可以在开漏模式下读出IO状态。

1.jpg (84.61 KB)

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2010-3-10 12:00