双脉冲测试基本实验以及波形
(1)如下图,在t0时刻,门级发出第一个驱动信号,开关管饱和导通,电感电流线性上升,电流公式如下,t1时刻电流值最大,由时间t1决定电流大小。
I = (U*t)/L
(2)如下图,在t1时刻,被测开关管T2被关断,电感电流由上管二极管续流,电流波形如虚线所示,此电流一般不容易检测。
(3)下图,在t2时刻,第二个脉冲的上升沿到达,被测开关管再次导通,续流二极管进入反向恢复,反向恢复电流会穿过开关管,在电流探头上能捕捉到这个电流。
(4)如下图,在t3时刻,开关管关断,此时电流较大,因为母线杂散电容存在,电压会出现尖峰
根据上面的分析,我们可以通过双脉冲测试得到两者的二极管的反向恢复时间。开关管上升时间,下降时间等。
(5)双脉冲测试实例
用高压隔离探头测量Vce以及Vge的电压大小,用罗氏线圈测量电流Ic的大小,测试结果通过示波器进行监控;上管IGBT的Vge加负压或直接短路,因此它是关断的,只有其并联的二极管起续流作用,在实际测试过程中可以用二极管替代。
定义:
(1)二极管反向恢复时间:开关从导通状态向截止状态转变时,二极管或整流器在二极管阻断反向称为反向恢复时间,在此期间电流反向流过二极管。电流之前需要首先释放存储的电荷,这个放电时间被总的来说,反向恢复时间就是正向导通时PN结存储的电荷耗尽所需要的时间。
1、反向电源电压越小,反向恢复电流越小,电荷耗尽越慢,反向恢复时间越长。
2、正向电流越大,存储的电荷越多,耗尽时间越长,反向恢复时间越长。
3、半导体的载流子复合效率越低,寿命越长,电荷耗尽时间越长,反向恢复时间越长,整个过程,电源电压,二极管两端电压,反向电流的波形图,如下图所示,图中的trr就是反向恢复时间。
(2)IGBT开关管参数的定义:ton、td(on)、tr、toff、td(off)、tf、(di/dt)on属于IGBT的开关时间参数,直观的表征了IGBT在理想状况下的开关速度。其中,ton=td(on)+tr,toff=td(off)+tf,因此我们只要搞清楚td(on)、tr、td(off)、tf就可了,技术手册一般给的也是这几个参数
ton:turn-ON time,开通时间
td(on):turn-ON delay time,开通延时
tr:Rise time,上升时间
toff:Turn-off time,关断时间
td(off):Turn-off delay time,关断延时
tf:Fall time,下降时间
(di/dt)on:Turn-On current slope,开通电流波形斜率,单位A/us
tf、tr和td(on)、td(off)在数值上差别不大,但tr、tf是集电极电流变化范围比较大的时间断,因此对IGBT的性能影响比较大,用他们来衡量IGBT的开关速度也更实用,要限制(di/dt)on一般通过调整栅极电阻来实现。
开关时间受Ic的影响比较小,受Ig的影响比较明显,而Ig又明显受栅极电阻Rg的影响,因此Rg对开关时间是有明显影响的。Rg增大,除了会使tf略有减小以外,将使其它开关参数变长,总的影响是开关时间变长,影响趋势如图2所示,因此,要限制开关时间,可适当增大Rg,但是过大的Rg会使IGBT的适用功率频率降低,还会增加栅极驱动功率损耗。总体来看,Rg一般不超过100Ω,电流规格越大的IGBT,Rg的取值越小。
有几个问题请教?
1、双脉冲两个脉冲的宽度怎么确定,也就是说两个开通脉冲要使电流升高到多大,即使是使用已知电感的空心电感,两个开通脉冲持续时间应该要持续多长时间?
2、双脉冲有时使用粗短铜牌替代已知感量的空心电感,这样的话感量更小双脉冲的两个脉冲时间是不是要求更短,但是其他参数设置基本不变?
3、两个开通脉冲之间的关断脉冲要求是多长时间,有什么理论依据?
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