逆变桥短路瞬间IGBT的CE电压为什么不能快速上去？

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短路逆变桥输出，测量同一个IGBT的驱动GE和CE，正常运行时GE为高电平CE为低电平，短路试验时在GE为高电平导通IGBT时CE应该为低电平，在驱动开通瞬间CE应该为低但是短路瞬间至触发保护后CE应该恢复高电平，但是为什么是缓慢恢复高电平而不是快速恢复？就像最后一个图，都是使用差分探针测量的。

maychang

【电压为什么不能快速上去？】

无论是双极型管还是MOS管还是IGBT，都有一个参数叫开通延迟时间，还有一个参数叫关断延迟时间。

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maychang 发表于 2024-9-3 20:54 【电压为什么不能快速上去？】 无论是双极型管还是MOS管还是IGBT，都有一个参数叫开通延迟时间，还有一 ...

以IGBT为例，其开通延时时间和关断延时时间应该不会超过开通时间和关断时间吧，我这样认为不知道对不对，姑且先这样理解，开通时间和关断时间正常情况不会超过2us，实际上小功率只有500-800ns，大功率的稍微长一些，以这个图片最后一张为例，上面有时基，短路瞬间触发过流保护这个全过程时间一般只有20-40us，但是图片过了这么长时间CE电压还没有恢复到母线电压一半的正常水平

xyxlyfswbl

抱歉，作为一个电子初学者，我无法给出一个高质量的回答，希望你见谅

beyond_笑谈

逆变桥短路瞬间IGBT的CE电压为什么不能快速上去？

//IGBT并联的母线电容充电时间是多少？

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beyond_笑谈 发表于 2024-9-4 08:46 逆变桥短路瞬间IGBT的CE电压为什么不能快速上去？ //IGBT并联的母线电容充电时间是多少？

470/2=235uF，接的是三相电源

maychang

乱世煮酒论天下 发表于 2024-9-3 22:34 以IGBT为例，其开通延时时间和关断延时时间应该不会超过开通时间和关断时间吧，我这样认为不知道对不对， ...

IGBT可以看成是MOS管与双极型三极管复合起来的。双极型三极管和MOS管不同，一个是多数载流子导电，一个是少数载流子导电。双极型三极管进入深饱和后，基极电流为零，集电极电流也不能立即减小，而要等基区电荷消散后才能开始减小。

所以，【以IGBT为例，其开通延时时间和关断延时时间应该不会超过开通时间和关断时间吧】是错误的。

qwqwqw2088

但是为什么是缓慢恢复高电平而不是快速恢复？
记住，你这是"短路逆变桥输出，测量同一个IGBT的驱动GE和CE"
正常运行和短路试验下的电压变化是有所不同的。

qwqwqw2088

短路时，CE电压会迅速上升，超过设定的阈值电压VCE_th，此时保护电路会触发，尝试关断IGBT，有个短路响应时间

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maychang 发表于 2024-9-4 09:27 IGBT可以看成是MOS管与双极型三极管复合起来的。双极型三极管和MOS管不同，一个是多数载流子导电，一个是 ...

双极性晶体管是两种极性载流子导电，MOS管是一种载流子多子导电，你所说的双极性型晶体管进入深度饱和，是指双极性晶体管进入饱和区吧，发射结正偏集电结正偏那个区域？

beyond_笑谈

乱世煮酒论天下 发表于 2024-9-4 09:04 470/2=235uF，接的是三相电源

两个470uF电容并联的话，总容量应该是470uF * 2，容量不大，应该不是母线电容充电导致的

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beyond_笑谈 发表于 2024-9-4 10:42 两个470uF电容并联的话，总容量应该是470uF * 2，容量不大，应该不是母线电容充电导致的

串联的，应该容量更小，是不是和探头的输入阻抗有关，用的差分探针标定输入阻抗是4M欧姆，但是怎么测出来是4M欧姆呢？用万用表测量差分探针差分输入电阻20M，单侧对地10M，可能测量工具不对，测得有问题？

maychang

乱世煮酒论天下 发表于 2024-9-4 10:17 双极性晶体管是两种极性载流子导电，MOS管是一种载流子多子导电，你所说的双极性型晶体管进入深度饱和， ...

【你所说的双极性型晶体管进入深度饱和，是指双极性晶体管进入饱和区吧，发射结正偏集电结正偏那个区域？】

如果看不懂【双极型晶体管进入深度饱和】这句话，请忽略。

没有什么【双极性晶体管】。

maychang

乱世煮酒论天下 发表于 2024-9-4 10:17 双极性晶体管是两种极性载流子导电，MOS管是一种载流子多子导电，你所说的双极性型晶体管进入深度饱和， ...

看看某型号IGBT的这两个时间参数。

 

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但是有其他短路瞬间CE电压快速升上去，这是什么原因？是和桥臂的位置有关吗？

 

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