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二极管的I FSM参数,正向电流,浪涌峰值 [复制链接]

 

二极管的I FSM参数,正向电流,浪涌峰值 ,

IFSM表示二极管最大非重复性、保持单一的浪涌电流。其值在特定的测试脉冲时间和环境温
度(TA=25°C)下定义.在频率60Hz的交流整流应用中,被用作整流器,整流器通常注明IFSM规范
为单次半正弦波浪涌时间为8.3ms,供客户参考。‘
以上是规格书中对二极管浪涌峰值的描述,我想问一下,这个单次正弦波浪涌时间为8.3MS的波形到底是啥样的呀?’
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【半导体材料的载流子复合效率越低,寿命越长,电荷耗尽时间越长,反向恢复时间越长】 对的。早期的快恢复二极管就是设法加快载流子复合,来实现快恢复的。   详情 回复 发表于 2024-5-26 11:46

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【这个单次正弦波浪涌时间为8.3MS的波形到底是啥样的呀?】

就是半个60Hz正弦波的波形。美国工业电网频率是60Hz,半个周期是8.3ms。

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[attachimg]811438[/attachimg]   是这样的吗 老师,还有我想问他这上面写的单次,非重复性的,是指的是只能承受这一个波形吗?还是能承受重复的这个波形?  详情 回复 发表于 2024-5-25 20:41

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maychang 发表于 2024-5-25 20:24 【这个单次正弦波浪涌时间为8.3MS的波形到底是啥样的呀?】 就是半个60Hz正弦波的波形。美国工业电网频 ...

image.png  

是这样的吗 老师,还有我想问他这上面写的单次,非重复性的,是指的是只能承受这一个波形吗?还是能承受重复的这个波形?

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记得IFSM电流是指半波有效值,不是峰值。所以你那个图标注错了,成了峰值了。  详情 回复 发表于 2024-5-25 21:23
这图画得也太难看了一些。   [attachimg]811446[/attachimg]   【我想问他这上面写的单次,非重复性的,是指的是只能承受这一个波形吗?】 定义是只能单次。实际上,过几十秒即可重复。不  详情 回复 发表于 2024-5-25 21:15

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小太阳yy 发表于 2024-5-25 20:41   是这样的吗 老师,还有我想问他这上面写的单次,非重复性的,是指的是只能承受这一个波形吗? ...

这图画得也太难看了一些。

 

06 正弦1.png

 

【我想问他这上面写的单次,非重复性的,是指的是只能承受这一个波形吗?】

定义是只能单次。实际上,过几十秒即可重复。不过,别把管子用得这么重。

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小太阳yy 发表于 2024-5-25 20:41   是这样的吗 老师,还有我想问他这上面写的单次,非重复性的,是指的是只能承受这一个波形吗? ...

记得IFSM电流是指半波有效值,不是峰值。所以你那个图标注错了,成了峰值了。

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明白了,老师,那我还有一个问题,二极管的反向恢复时间,跟规格书里标注的结电容大小有关系吗 为什么会反向出现一个很大的反向电流呢?  详情 回复 发表于 2024-5-25 21:29

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maychang 发表于 2024-5-25 21:23 记得IFSM电流是指半波有效值,不是峰值。所以你那个图标注错了,成了峰值了。

明白了,老师,那我还有一个问题,二极管的反向恢复时间,跟规格书里标注的结电容大小有关系吗 为什么会反向出现一个很大的反向电流呢?

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这是因为二极管在通过较大的正向电流时,其PN结中会存储一定量的电荷。当二极管突然受到反向电压时,这些电荷不会立即消失,而是反向流过,这就形成了很大的反向电流,好像二极管几乎短路了一般。经过一端时间,这些  详情 回复 发表于 2024-5-25 21:58

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小太阳yy 发表于 2024-5-25 21:29 明白了,老师,那我还有一个问题,二极管的反向恢复时间,跟规格书里标注的结电容大小有关系吗 为什么会 ...

这是因为二极管在通过较大的正向电流时,其PN结中会存储一定量的电荷。当二极管突然受到反向电压时,这些电荷不会立即消失,而是反向流过,这就形成了很大的反向电流,好像二极管几乎短路了一般。经过一端时间,这些电荷因复合而消失,二极管反向只剩反向漏电流,达到稳定状态。描述二极管反向恢复现象,通常使用“反向恢复时间”这个参数。使用时须注意测试条件。也有用“反向恢复电荷”这个参数来描述的。使用时同样须注意测试条件。

结电容一般是在很小电流条件下测试的,不能完全反映反向恢复时间。

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[attachimg]811462[/attachimg]  [attachimg]811464[/attachimg]  这是在网上看到的 反向恢复的解释,我想问一下,最大反向电流IR是有什么决定的呢?  图中的公式是IR=VR/RL,那是不是可以理解为,  详情 回复 发表于 2024-5-25 22:16
[attachimg]811458[/attachimg]   是这个电容吗?  详情 回复 发表于 2024-5-25 22:03

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maychang 发表于 2024-5-25 21:58 这是因为二极管在通过较大的正向电流时,其PN结中会存储一定量的电荷。当二极管突然受到反向电压时,这些 ...

image.png    是这个电容吗?

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maychang 发表于 2024-5-25 21:58 这是因为二极管在通过较大的正向电流时,其PN结中会存储一定量的电荷。当二极管突然受到反向电压时,这些 ...

image.png   image.png   这是在网上看到的 反向恢复的解释,我想问一下,最大反向电流IR是有什么决定的呢? 

图中的公式是IR=VR/RL,那是不是可以理解为,反向电压越大,电路中的等效电阻越小,最大反向电流IR会越大,这样理解正确吗?或者说是结电容越大,存储的电荷越多,最大反向电流越大?有点想不明白了

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但是还应该看到:时间 ts 和 tt 与最大反向电流有关,与电压突变前的正向电流IF有关,这就不是结电容所能够解释的了。  详情 回复 发表于 2024-5-26 07:18
【图中的公式是IR=VR/RL,那是不是可以理解为,反向电压越大,电路中的等效电阻越小,最大反向电流IR会越大,这样理解正确吗?】 正是这样理解。  详情 回复 发表于 2024-5-26 07:13

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小太阳yy 发表于 2024-5-25 22:16    这是在网上看到的 反向恢复的解释,我想问一下,最大反向电流IR是有什么决定的呢?  ...

【图中的公式是IR=VR/RL,那是不是可以理解为,反向电压越大,电路中的等效电阻越小,最大反向电流IR会越大,这样理解正确吗?】

正是这样理解。

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小太阳yy 发表于 2024-5-25 22:16    这是在网上看到的 反向恢复的解释,我想问一下,最大反向电流IR是有什么决定的呢?  ...

但是还应该看到:时间 ts 和 tt 与最大反向电流有关,与电压突变前的正向电流IF有关,这就不是结电容所能够解释的了。

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有点搞不清楚了,目前对这块还有4个问题没搞太清楚,目前我自己的理解如下:但不知道 是不是正确的,请老师指正 1)二极管反向恢复时的最大电流与哪些参数有关 首先跟反向截止时的电压VR大小有关系,VR越大  详情 回复 发表于 2024-5-26 11:28

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maychang 发表于 2024-5-26 07:18 但是还应该看到:时间 ts 和 tt 与最大反向电流有关,与电压突变前的正向电流IF有关,这就不是结电容所能 ...

有点搞不清楚了,目前对这块还有4个问题没搞太清楚,目前我自己的理解如下:但不知道

是不是正确的,请老师指正

1)二极管反向恢复时的最大电流与哪些参数有关

首先跟反向截止时的电压VR大小有关系,VR越大,反向最大电流越大

其次跟正向导通时的电流有关系,正向导通时存储的电荷越多,反向时的最大电流越大(这个说法不知道对不对)

trr的时间越短,反向最大电流越大(是否正确?为什么?)

是否还有其他因素?

2)Trr的时间与哪些参数有关

反向电源电压越小,反向恢复电流越小,电荷耗尽越慢,反向恢复时间越长。

正向电流越大,存储的电荷越多,耗尽时间越长,反向恢复时间越长。

半导体材料的载流子复合效率越低,寿命越长,电荷耗尽时间越长,反向恢复时间越长。

3)trr如果时间很短的话,在反向电流接近0的地方是否会容易发生振荡

是的,如果trr时间很短,容易发生振荡,产生EMI问题

4)trr的长短和二极管的规格书中的结电容大小有关系吗? 

规格书中的结电容一般为扩散电容的容量,与反向恢复时间关系不大,与反向恢复时间强相关的是势垒电容,一般在规格书中未标记。

不知道我上面的理解是否有问题? 请老师指正

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【半导体材料的载流子复合效率越低,寿命越长,电荷耗尽时间越长,反向恢复时间越长】 对的。早期的快恢复二极管就是设法加快载流子复合,来实现快恢复的。  详情 回复 发表于 2024-5-26 11:46
【trr的时间越短,反向最大电流越大】 这二者之间并不是因果关系。  详情 回复 发表于 2024-5-26 11:44

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小太阳yy 发表于 2024-5-26 11:28 有点搞不清楚了,目前对这块还有4个问题没搞太清楚,目前我自己的理解如下:但不知道 是不是正确的, ...

【trr的时间越短,反向最大电流越大】

这二者之间并不是因果关系。

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小太阳yy 发表于 2024-5-26 11:28 有点搞不清楚了,目前对这块还有4个问题没搞太清楚,目前我自己的理解如下:但不知道 是不是正确的, ...

【半导体材料的载流子复合效率越低,寿命越长,电荷耗尽时间越长,反向恢复时间越长】

对的。早期的快恢复二极管就是设法加快载流子复合,来实现快恢复的。

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