先进的高压大功率器件——原理、特性和应用

arui1999

先进的高压大功率器件——原理、特性和应用 [复制链接]

本书共11章。

第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。

第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。

第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。

第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。

第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。

第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。

第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断，并可利用IGBT加工工艺来制造。这种器件具有良好的安全工作区。

本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。

fjdeepblue

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