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发表于2022-2-28 19:44 只看该作者

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想问一下这个自举电容跟这俩电阻该怎样取值

R3R11D9是接在功率开关管门极上。R3目的主要是避免MOS管产生寄生振荡，其次是稍微降低一些从关断到导通的速度，这样对降低EMI有利。R11D9则控制功率开关管从导通到关断的速度。通常R3R11数值在数欧到数十欧，视你要求的开关速度而定。详情回复发表于 2022-2-28 20:39

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发表于2022-2-28 20:34 只看该作者

自举电容C1和C2的电容量必须在一个开关周期内支持IR2184高边驱动部分用电，在Q1Q4导通期间电压下降不能低于Q1Q4饱和导通所需要的门极电压。这样计算出来的电容量是最小允许值，通常总是加大几倍。电容量大些是允许的，但太大会增加成本。

一般手册上都会有所介绍。

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发表于2022-2-28 20:39 只看该作者

R3R11D9是接在功率开关管门极上。R3目的主要是避免MOS管产生寄生振荡，其次是稍微降低一些从关断到导通的速度，这样对降低EMI有利。R11D9则控制功率开关管从导通到关断的速度。通常R3R11数值在数欧到数十欧，视你要求的开关速度而定。

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4楼

楼主| 发表于2022-3-1 15:19 只看该作者

maychang 发表于 2022-2-28 20:39 R3R11D9是接在功率开关管门极上。R3目的主要是避免MOS管产生寄生振荡，其次是稍微降低一些从关断到导通的速 ...

懂了感谢

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