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纯净的硅(中级)
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如图所示,两个功率管组成的半桥逆变拓扑 上管Q1开通电压是图示的+20v,关断是用-8v 此两路电源由右侧的单端反激变压器输出得到。 其中vt1是20v的稳压管。 [1]若用图示的vt1和r1,用阻性负载,在带轻载时,检测光耦输出out处的波形,是接近正18v和负7v的方波,在负载加重时,上下幅值会整体上移,负压可能漂移到负5v,同时正压到19v左右,为什么会出现整体迁移?如果把r1也换成稳压管,则漂移的问题就好了很多。 [2]是不是因为有这个负压上移的原因,所以负压取值要留有余量,否则负压太低,则不能关断功率管?
33142956-4C16-46A9-B832-2EAF5116E01E.jpeg (0 Bytes, 下载次数: 0)
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2020-10-20 14:58 上传
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超级版主
2万
此电路看不大懂。
图中标注是MOS管,通常功率MOS管不必加负压,只要0V即可关断。这一点和IGBT不一样。当然,对MOS管施加负压并没有什么坏处。
看不懂,是因为这个反激变换器加上整流滤波稳压,再加上光耦,成本不低。
其实只要你的半桥工作频率不是很低,低到数Hz,完全可以使用IR2101之类高压隔离驱动芯片,省事多了。
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