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一粒金砂(初级)

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引用 39 楼 bearbrotherji 的回复:
你有没有6410的BSP,你仔细看一下就知道,写STEPLDR部分和写部分的写NAND FLASH的代码是不一样的。如果你有BSP直接改一下就要可以了。我现在就是用SD卡启动,然后读取SD卡中FAT文件系统的内容直接烧写的,很快。


烧写到那里去?烧写进NAND FLASH?

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一粒金砂(高级)

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我现在是就执行不到SD卡里面的STEPLDR。NB0程序,怀疑SD卡的STEPLDR。NB0没被IROM加载进RAM去运行。
 
 

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没反应啊,问题定在ECC上了,那我再去看看STEPLDR,有进展了我就贴上来,现在要准备IDE方面的资料。估计要忙下了。
 
 
 

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把Stepldr中读eboot的地方注释掉ECC检测就OK了
 
 
 

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把Stepldr中读eboot的地方注释掉ECC检测就OK了
 
 
 

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最近刚研究的,测试nandflash。

写入的时候,首先擦除、然后写入,然后读取ecc寄存器,然后写入ecc值到nandflash。

读取的时候,读出,然后读ecc寄存器,然后读nandflash中的ecc,比对这两个ecc,一致认为读出正确。

三星的ecc是通过一个硬件电路实现的,所以必须按照上面的顺序,否则操作顺序出错,很容易认为ecc出错。

 
 
 

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引用 44 楼 ym_luo 的回复:
把Stepldr中读eboot的地方注释掉ECC检测就OK了


不是这样的IROM代码要做ECC校验,如果是STEPLDR中做ECC出错就很容易处理,但是IROM是芯片固化程序。
 
 
 

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请问谁有SJF6410  关于8位ECC校验部分代码void Make_1bit_ECC_SB(int spareBuf_addr)
上面是1位的,有人有8位的吗,有的话请贴一个或者知道算法的说下算法,谢谢,拼了,一定要搞出来!!!
 
 
 

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请问谁有SJF6410  关于8位ECC校验部分代码void Make_1bit_ECC_SB(int spareBuf_addr)
上面是1位的,有人有8位的吗,有的话请贴一个或者知道算法的说下算法,谢谢,拼了,一定要搞出来!!!
 
 
 

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把Stepldr中读eboot的地方注释掉ECC检测就OK了
 
 
 

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引用 49 楼 ym_luo 的回复:
把Stepldr中读eboot的地方注释掉ECC检测就OK了


我的问题还没到这步,我现在是芯片搬运代码到stepstone出错。
 
 
 

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引用 49 楼 ym_luo 的回复:
把Stepldr中读eboot的地方注释掉ECC检测就OK了


我的问题还没到这步,我现在是芯片搬运代码到stepstone出错。
 
 
 

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请问谁有SJF6410? 关于8位ECC校验部分代码void Make_1bit_ECC_SB(int spareBuf_addr)
上面是1位的,有人有8位的吗,有的话请贴一个或者知道算法的说下算法,谢谢,拼了,一定要搞出来!!!
 
 
 

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把Stepldr中读eboot的地方注释掉ECC检测就OK了
 
 
 

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引用 53 楼 ym_luo 的回复:
把Stepldr中读eboot的地方注释掉ECC检测就OK了


他的还没到那一步,他是加载STEPLDR。NB0到RAM就报错。
 
 
 

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引用 53 楼 ym_luo 的回复:
把Stepldr中读eboot的地方注释掉ECC检测就OK了


他的还没到那一步,他是加载STEPLDR。NB0到RAM就报错。
 
 
 

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引用 52 楼 wdw1600 的回复:

请问谁有SJF6410? 关于8位ECC校验部分代码void Make_1bit_ECC_SB(int spareBuf_addr)
上面是1位的,有人有8位的吗,有的话请贴一个或者知道算法的说下算法,谢谢,拼了,一定要搞出来!!!



算法是硬件做的,你只是在适合的地方,读出来而已。

写入的时候,首先擦除、然后写入,然后读取ecc寄存器,然后写入ecc值到nandflash。

读取的时候,读出,然后读ecc寄存器,然后读nandflash中的ecc,比对这两个ecc,一致认为读出正确。

三星的ecc是通过一个硬件电路实现的,所以必须按照上面的顺序,否则操作顺序出错,很容易认为ecc出错。
 
 
 

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引用 52 楼 wdw1600 的回复:

请问谁有SJF6410? 关于8位ECC校验部分代码void Make_1bit_ECC_SB(int spareBuf_addr)
上面是1位的,有人有8位的吗,有的话请贴一个或者知道算法的说下算法,谢谢,拼了,一定要搞出来!!!



算法是硬件做的,你只是在适合的地方,读出来而已。

写入的时候,首先擦除、然后写入,然后读取ecc寄存器,然后写入ecc值到nandflash。

读取的时候,读出,然后读ecc寄存器,然后读nandflash中的ecc,比对这两个ecc,一致认为读出正确。

三星的ecc是通过一个硬件电路实现的,所以必须按照上面的顺序,否则操作顺序出错,很容易认为ecc出错。
 
 
 

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引用 52 楼 wdw1600 的回复:

请问谁有SJF6410? 关于8位ECC校验部分代码void Make_1bit_ECC_SB(int spareBuf_addr)
上面是1位的,有人有8位的吗,有的话请贴一个或者知道算法的说下算法,谢谢,拼了,一定要搞出来!!!



算法是硬件做的,你只是在适合的地方,读出来而已。

写入的时候,首先擦除、然后写入,然后读取ecc寄存器,然后写入ecc值到nandflash。

读取的时候,读出,然后读ecc寄存器,然后读nandflash中的ecc,比对这两个ecc,一致认为读出正确。

三星的ecc是通过一个硬件电路实现的,所以必须按照上面的顺序,否则操作顺序出错,很容易认为ecc出错。
 
 
 

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引用 58 楼 cbema 的回复:
引用 52 楼 wdw1600 的回复:

请问谁有SJF6410? 关于8位ECC校验部分代码void Make_1bit_ECC_SB(int spareBuf_addr)
上面是1位的,有人有8位的吗,有的话请贴一个或者知道算法的说下算法,谢谢,拼了,一定要搞出来!!!



算法是硬件做的,你只是在适合的地方,读出来而已。

写入的时候,首先擦除、然后写入,然后读取ecc寄存器,然后写入ecc值到nandflash。

读取的时候,读出,然后读ecc寄存器,然后读nandflash中的ecc,比对这两个ecc,一致认为读出正确。

三星的ecc是通过一个硬件电路实现的,所以必须按照上面的顺序,否则操作顺序出错,很容易认为ecc出错。



SJF6410有这个算法,只不过那是一位的,在三星那了解到,6410IROM启动方式上电默认NAND ECC是8位的,所以想把SJF6410里1208的1BIT 校验改成8BIT
6410手册上说上电的NAND ECC是多少位通过硬件设置,但是找遍了手册未见说明究竟是哪个地方设置
 
 
 

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