PowerAnts

不对，1OZ的铜厚只能跑根号14.3=3.78倍，即30A/mm2, 看来平时跑这么大的极限是合理的。

不亦心

PowerAnts

不亦心 发表于 2020-4-4 17:28

这个应该是BMS板的吧，汇流排是提高载流量最有效的办法

不亦心

PowerAnts 发表于 2020-4-4 17:35 这个应该是BMS板的吧，汇流排是提高载流量最有效的办法

是的，BMS板截的一部分，不敢全放出来

PowerAnts

不亦心 发表于 2020-4-5 09:02 是的，BMS板截的一部分，不敢全放出来

昨天看走眼了，以为中间的黄铜板是汇流排，疑惑为什么不用紫铜。紫铜的价格是黄铜的2倍，电导率则是4倍，可以省一半的成本。毕竟BMS都是要喷三防漆的，不用担心紫铜太活拨。后来才看到黄铜下面还有MOSFET，这黄铜是给中间两排MOSFET散热的，这中间散热不大好。

maychang

PowerAnts 发表于 2020-4-4 15:50 CBB电容的电极也是蒸发到薄膜上的一层几十纳米的金属，但是一颗12*5*8mm的CBB居然可以跑几A的高频电流， ...

汇流排，这个我知道。

金属膜电容的构造我也知道。早在纸作为电容器介质时期，就有金属化纸介电容器，其引出就是膜的两端，电流只通过介质的宽度。

我只是惊讶于MOS管的导通电阻怎么能够做到这么低。如你所说，“功率开关的温度比铜箔还要低”。

PowerAnts

maychang 发表于 2020-4-6 14:28 汇流排，这个我知道。 金属膜电容的构造我也知道。早在纸作为电容器介质时期，就有金属化纸介电容器， ...

这个属于半导体物理了，已经超出应用的范围，我没去了解。我只是把它当成黑盒子来使用。

对于垂直导电的VDMOS而言，要减小导通电阻，不外乎是增大芯片面积，通过更先进的渗杂工艺增大沟道的绝缘强度，应用上不需要过多关心，好比我们用电脑，只要知道35nm 比 45 nm 的效能更高就行了，至于工艺的差别对使用者来说并不重要。所谓术业有专攻哈

cheery60

maychang 发表于 2020-4-4 10:59 查TOP-3、TO-264等封装的MOS管，其引脚宽1.2mm，厚0.5mm。铜的电阻率0.018平方毫米/米，计算得一条引脚的 ...

主要是，就算引脚能达到那么大的电流流量，PCB板上的铜线也很难满足这么大电流的要求，板子没那么大，只能外挂大点的驱动了。

maychang

cheery60 发表于 2020-4-8 10:11 主要是，就算引脚能达到那么大的电流流量，PCB板上的铜线也很难满足这么大电流的要求，板子没那么大，只 ...

“板子上的铜线很难满足这么大电流要求”

参见PowerAnts回复的各帖。

threetigher

100A轻松搞定。

cheery60

maychang 发表于 2020-4-3 18:13 IGBT在大电流情况下充分导通时，管压降可达2V甚至2.5V。即使电流降到一半，管压降并不是也减少到一半。这 ...

嗯，受教了，如果导通压降在2V左右的话，100A的电流流过，自身功耗就有200W，怕是抗不住了

cheery60

PowerAnts 发表于 2020-4-4 12:07 IR曾经是功率半导体器件的头号品牌，几年前卖给英飞凌，他们做不了假。 5X6是一颗很不错的封装，整个 ...

我看了这个芯片，的确能驱动100A的电流，但我的哪个PCB板有点小，怕铜皮布不了那么宽，有没有外挂的那种开关晶体管。可低压低电流控制大电流的那种

PowerAnts

cheery60 发表于 2020-4-8 12:56 我看了这个芯片，的确能驱动100A的电流，但我的哪个PCB板有点小，怕铜皮布不了那么宽，有没有外挂的那种 ...

如果是用继电器，你该怎么处理？那你就怎么处理MOSFET

cheery60

PowerAnts 发表于 2020-4-8 13:18 如果是用继电器，你该怎么处理？那你就怎么处理MOSFET

好的，谢谢指导！