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点评

有的。例如CD4XXX系列芯片中的MOS管。你最好是看看CD4066、CD4051等等芯片内部结构,就知道了。CD4066这类模拟开关,都是可以在两个方向上导通的。  详情 回复 发表于 2020-1-16 14:33
 
 

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点评

“也就是导通旁路了体二极管咯?” 不是 “导通了体二极管”,而是导通了场效应管的 “沟道”。“沟道” 导通后,无论是在哪个方向上,均旁路了体二极管。  详情 回复 发表于 2020-1-16 14:35
 
 
 

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点评

你的原话是 “只要信号电压小于Diode Forward Voltage ,同时电流小于IDS,就可以互换S和D是吗”。信号电压大还是小,是与开启电压(Gate Threshold Voltage)相比较,不是与Diode Forward Voltage(二极管正  详情 回复 发表于 2020-1-16 14:40
 
 
 

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这种模拟开关是不带体二极管啊,现在说的是MOS  详情 回复 发表于 2020-1-17 10:09
 
 
 

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点评

你没明白我的意思   我这里说的信号是被控制的信号  你说的VTH是开启MOS的控制信号  详情 回复 发表于 2020-1-17 10:10
 
 
 

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点评

很短的脉冲情况下,二极管正向电压达到5V,是可能的。但持续时间稍长一点点,二极管就会烧毁,也是毫无疑问。  详情 回复 发表于 2020-1-16 17:59
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点评

你说的没错,我只是就应用中经常出现的情况进行补充。 同时,有悟性好的网友看到这个贴子,会想到正负脉冲电压作用下,二极管的“正向导通”的建立时间并不为零,那就不枉码一堆字了。。。  详情 回复 发表于 2020-1-16 18:40
 
 
 

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点评

[attachimg]456962[/attachimg]如今想要找没有体内二极管的MOS管,恐怕只能买到CD4007这个型号的芯片了。 CD4007内部有六支MOS管,三个N沟管,三个P沟管,组成两个互补电路和一个反相器。组成互补电路的P沟管和N  详情 回复 发表于 2020-1-17 15:20
如今出现了IGBT,市场上很多。IGBT是MOS管与一个PNP三极管的组合。IGBT内部的MOS管,就不带体内二极管。 IGBT内部PNP三极管,有带反向二极管的,也有不带反向二极管的。带反向二极管的IGBT,其内部反向二极管是另  详情 回复 发表于 2020-1-17 10:22
所有CD4XXX芯片和74HCXXXX、74HCTXXXX……芯片,都是由若干MOS管构成的。内部联接方式不同而已。 最早的分立MOS管,也是内部没有二极管的。直到较大功率MOS管出现,由于其制造工艺,才带上了体内二极  详情 回复 发表于 2020-1-17 10:17
 
 
 

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点评

“你没明白我的意思 ” 被控制信号满足 “只要信号电压小于Diode Forward Voltage ,同时电流小于IDS” 的条件,源极漏极互换有什么意义呢?谁会这样做? 6楼bigbat所说 “MOS的漏源  详情 回复 发表于 2020-1-17 10:29
 
 
 

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没有体二极管的,RF行业比较普遍,可能刘海石用得比较多  详情 回复 发表于 2020-1-17 21:03
 
 
 

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