怎么看，TI官方应用手册-升压原理中问题

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问题：

附上TI升压原理文档，请问TI有降压DC芯片计算原理跟LDO原理计算文档吗？

两个公式有疑惑

1.占空比计算公式哪个正确？

D=(Vo-Vi)/Vo与D=1-Vi*n/Vo（其中n为效率），哪个公式正确？

2.开关峰值公式是不是分降压跟升压？

降压中会看到Isw=Iload+IL/2(其中IL为纹波电流 ），但是在升压中看到公式为 Isw=Iload/（1-D）+IL/2(其中IL为纹波电流 ），所以是不是区分升降压？

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回答1：

   带效率的计算更加准确，只是我们一般按照前面一个计算，比较简洁。一般效率再90%左右，所以两者计算差别也不大。

    升压降压计算当然不一样，topy不一样，差别很大的。

回答2:

1、不一定哪一个准确，象第一个，如果是buck电路，工作再CCM模式下，那个占空比的公式是根据伏秒平衡来的，跟效率是没有关系的。

2、这个是跟拓扑有关的，不同的拓扑，峰值电流与输出电流的关系是不一样的。