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sunny.sun 发表于 2021-1-13 18:45 请问这个电路,mos管不导通的情况下,-10v的电压会通过二极管过去吗,谢谢!

『mos管不导通的情况下,-10v的电压会通过二极管过去吗』

你看看MOS管体内寄生二极管方向就知道了。

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maychang 发表于 2021-1-13 19:14 『mos管不导通的情况下,-10v的电压会通过二极管过去吗』 你看看MOS管体内寄生二极管方向就知道了。

好的,明白了,谢谢

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maychang 发表于 2019-11-23 19:39 “这样理解对吗?” 差不多。唯一需要修改的是 “Vgs>0” 应该改成 “Vgs ...

Vgs 近似于VCC+10V,那么Vgs一直大于10V,MOS管会永远处于导通状态

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『Vgs 近似于VCC+10V,那么Vgs一直大于10V,MOS管会永远处于导通状态』 6楼图中,若Q2关断,MOS管还会导通吗?  详情 回复 发表于 2021-2-22 11:42
 
 
 
 

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liuzanshui 发表于 2021-2-22 11:23 Vgs 近似于VCC+10V,那么Vgs一直大于10V,MOS管会永远处于导通状态

『Vgs 近似于VCC+10V,那么Vgs一直大于10V,MOS管会永远处于导通状态』

6楼图中,若Q2关断,MOS管还会导通吗?

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maychang 发表于 2019-11-23 12:38 “求教PNP三极管怎么去控制mos管,给个简单的电路” 简单电路如下图:

4楼的图中,是NMOS管,体二极管的方向从左向右导通,不明白为什么-10V不能通过体二极管到output?

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『不明白为什么-10V不能通过体二极管到output?』 output端,负载接GND。-10V对这个N沟MOS管内部二极管来说是反向电压,显然电流不能通过体内二极管到负载。  详情 回复 发表于 2021-3-18 20:22
『4楼的图中,是NMOS管,体二极管的方向从左向右导通』 没错。4楼图中是N沟MOS管,体内二极管方向从左向右为正向。  详情 回复 发表于 2021-3-18 20:20
 
 
 
 

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shaorc 发表于 2021-3-18 19:37 4楼的图中,是NMOS管,体二极管的方向从左向右导通,不明白为什么-10V不能通过体二极管到output?

『4楼的图中,是NMOS管,体二极管的方向从左向右导通』

没错。4楼图中是N沟MOS管,体内二极管方向从左向右为正向。

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shaorc 发表于 2021-3-18 19:37 4楼的图中,是NMOS管,体二极管的方向从左向右导通,不明白为什么-10V不能通过体二极管到output?

『不明白为什么-10V不能通过体二极管到output?』

output端,负载接GND。-10V对这个N沟MOS管内部二极管来说是反向电压,显然电流不能通过体内二极管到负载。

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谢谢 明白了  详情 回复 发表于 2021-3-18 22:34
 
 
 
 

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纯净的硅(中级)

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maychang 发表于 2021-3-18 20:22 『不明白为什么-10V不能通过体二极管到output?』 output端,负载接GND。-10V对这个N沟MOS管内部二极 ...

谢谢 明白了

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maychang 发表于 2019-11-26 10:26 Q2基极与发射极之间的电阻R2,是为了避免MCU输出高电平时由于强干扰致使Q2短暂导通。 MCU可能是强下拉 ...

此处降低的是单片机的输出阻抗,还是晶体管的输入阻抗?

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『此处降低的是单片机的输出阻抗,还是晶体管的输入阻抗?』   我想,在12楼我已经说得很明确:“加入R2可以降低Q2基极对地(就是VCC,二者交流等电位)阻抗”。  详情 回复 发表于 2021-3-19 07:18
 
 
 
 

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寅子敬 发表于 2021-3-18 23:19 此处降低的是单片机的输出阻抗,还是晶体管的输入阻抗?

『此处降低的是单片机的输出阻抗,还是晶体管的输入阻抗?』

 

我想,在12楼我已经说得很明确:“加入R2可以降低Q2基极对地(就是VCC,二者交流等电位)阻抗”。

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Q2是共射连接,输入阻抗是晶体管基区电阻rbe,可能在千欧量级。这样的阻抗还需要降低吗?我怎么记得对于输入信号是电压源,输入阻抗是要越大越好呢?  详情 回复 发表于 2021-3-19 08:35
 
 
 
 

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maychang 发表于 2021-3-19 07:18 『此处降低的是单片机的输出阻抗,还是晶体管的输入阻抗?』   我想,在12楼我已经说得很明确 ...

Q2是共射连接,输入阻抗是晶体管基区电阻rbe,可能在千欧量级。这样的阻抗还需要降低吗?我怎么记得对于输入信号是电压源,输入阻抗是要越大越好呢?

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『Q2是共射连接,输入阻抗是晶体管基区电阻rbe,可能在千欧量级』 『我怎么记得对于输入信号是电压源,输入阻抗是要越大越好呢?』 那是三极管交流小信号工作时的数值。你把交流小信号工作用到大信号开关工作  详情 回复 发表于 2021-3-19 09:24
双极型三极管共射联接,其输入阻抗绝非定值,而是在很大范围内变化的。在基极电流非常小甚至为零状态下,基极输入阻抗非常大。而当基极电流较大时,基极输入阻抗可以相当小。没有什么 “千欧量级”。 1  详情 回复 发表于 2021-3-19 09:21
 
 
 
 

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寅子敬 发表于 2021-3-19 08:35 Q2是共射连接,输入阻抗是晶体管基区电阻rbe,可能在千欧量级。这样的阻抗还需要降低吗?我怎么记得对于 ...

双极型三极管共射联接,其输入阻抗绝非定值,而是在很大范围内变化的。在基极电流非常小甚至为零状态下,基极输入阻抗非常大。而当基极电流较大时,基极输入阻抗可以相当小。没有什么 “千欧量级”。

11楼图中Q2工作于开关状态,基极电流在 “关” 态时为零,基极输入阻抗非常大。11楼图中R2就是为了降低Q2 “关” 态时的输入阻抗。

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寅子敬 发表于 2021-3-19 08:35 Q2是共射连接,输入阻抗是晶体管基区电阻rbe,可能在千欧量级。这样的阻抗还需要降低吗?我怎么记得对于 ...

『Q2是共射连接,输入阻抗是晶体管基区电阻rbe,可能在千欧量级』

『我怎么记得对于输入信号是电压源,输入阻抗是要越大越好呢?』

那是三极管交流小信号工作时的数值。你把交流小信号工作用到大信号开关工作状态里面,用错地方了。

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明白了,解释的非常明白,谢谢。  详情 回复 发表于 2021-3-19 09:28
 
 
 
 

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maychang 发表于 2021-3-19 09:24 『Q2是共射连接,输入阻抗是晶体管基区电阻rbe,可能在千欧量级』 『我怎么记得对于输入信号是电压源 ...

明白了,解释的非常明白,谢谢。

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