232 层 NAND - 更多堆叠层数、更创新、更先进

美光出货 232 层 NAND ,扩展 3D NAND 技术边界。 >>查看详情

  • 高性能 美光 232 层 NAND 具有璀璨业界的 NAND 输入/输出 ( I/O )速度(每秒 2.4 GB),可满足低延迟和高吞吐量的需求,适用于人工智能、非结构化数据库、实时分析与云计算等数据密集型工作负载。
  • 数据密度 美光 232 层高密度 NAND 便于客户进行灵活设计,实现了每平方毫米高达 14.6 Gb 的 TLC 密度。面密度比当今市场上的 TLC 竞品高35% 到 100%。
  • 无处不在的应用 更大的存储容量 —— 增加堆叠层数以提高存储容量至每裸片 1 Tb,每封装 2 TB——从智能边缘到云计算,美光 232 层 NAND 为更多设备提供更大存储,以帮助实现更智能,功能更强大的设备。
活动流程

活动时间:即日起-2022年12月17日

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扩展技术边界: NAND 堆叠层数提升至 232 层

2020年,美光发布了 176 层 3D NAND,确立成为 NAND 技术领域前沿厂商。 如今凭借下一代 232 层 NAND 技术实现应用与进入市场,我们进一步巩固了自身的技术优势。

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凭借 3D NAND 再攀高峰:持续创新,推动内存与存储的发展

美光凭借超高垂直堆叠层数,打造出速度更快、性能更强、容量更大、服务质量(QoS)更高的 232 层 3D NAND - 再次提升了 NAND 技术的业界基准,并保持在业内的重要地位。

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关于Micron Technology, Inc.

美光科技是创新内存和存储解决方案的业界领导厂商,致力于通过改变世界使用信息的方式来丰富全人类生活。凭借对客户、领先技术卓越制造和运营的不懈关注,美光通过Micron和Crucial品牌提供DRAM、NAND和NOR等多个种类的高性能内存以及存储产品组合。我们通过持续不断的创新,赋能数据经济发展,推动人工智能和5G应用的进步,从而为数据中心、智能边缘、客户端和移动应用提升用户体验带来更大的机遇。如需了解MicronTechnology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)的更多信息,请访问 cn.micron.com.

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美光 232 层 NAND 是首款支持 NV-LPDDR4 的量产技术。与此前的 I/O 接口相比,每比特传输能耗可降低多少?