活动时间：即日起——8月7日
1. 点击下方“立即打卡”按钮，进入快闪店，开始活动；
2. 点击快闪店中的4个打卡点，根据提示，完成对应任务，进行打卡；
3. 完成所有打卡点后，填写个人信息即可等待抽奖。
活动结束后，我们将在完成所有打卡任务的参与者中，抽取30位幸运者赠送礼品！
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年（截至2020年9月30日)，公司的营业收入为85.67亿欧元，在全球范围内拥有46,700名员工。
更多信息欢迎访问官网: https://www.infineon.com/cms/cn/
首先，碳化硅在材料与工艺特性上不同于传统硅，质量和可靠性的保证是所有厂家需要面对的首要问题。英飞凌采用最新的技术，通过近 30
年的研发和实践才最终摸索出了一套立足长远、更具战略优势的技术路线，并于2021年推出了碳化硅可靠性研究白皮书，为客户全面梳理了SiC
MOSFET可靠性的问题。
其次，新兴技术势必在应用方面需要更多的探索。碳化硅技术应用的能力，需要摆脱源自硅器件使用的传统经验和思维，有更多思考和实践。在为成熟行业的领先客户、领先设计做好技术服务的同时，英飞凌也在积极参与新兴行业的早期预研项目，致力于拓展碳化硅应用。
英飞凌推出的碳化硅CoolSiCTM MOSFET具有高效节能特性及最佳可靠性。我们的产品系列采用分立封装，还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。碳化硅MOSFET功率模块提供三电平、四单元、半桥、六单元和升压配置。
CoolSiCTM MOSFET具备一系列优势。这些优势包括碳化硅开关中的最小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗，以及无阈值通态特性等。
英飞凌独特的CoolSiCTM MOSFET可以带来额外的优势。通过最先进的沟槽设计实现出色的栅氧化层可靠性，一流的开关和导通损耗，最高跨导电平（增益），Vth=4V的阈值电压，以及短路稳定性。这是您尽可信赖的革命性器件。
所有这一切带来的是强大的碳化硅MOSFET技术，非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如LLC和ZVS，可以像IGBT或MOSFET一样使用易于使用的驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来最高效率，从而可以减小系统尺寸、增大功率密度，并确保高可靠性，延长使用寿命。
英飞凌通过近 30 年的研发和实践才最终摸索出了一套立足长远、更具战略优势的碳化硅技术路线，并于哪一年推出了碳化硅可靠性研究白皮书？为客户全面梳理了SiC MOSFET可靠性的问题。
前往英飞凌 SiC MOSFET 官网查看更多（点击此链接后，才能提交答案）
点击以上6个不重复的产品图并答题后，即可打卡
以下哪些是英飞凌 SiC MOSFET 产品的优势？（多选）
产品型号
采用TO247-4封装的1200V 7mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET单管
采用TO247-3封装的1200V 14mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET单管
采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiC™ 沟槽型碳化硅MOSFET单管
应用领域
● 不间断电源（UPS） ● 电池化成 ● 电动汽车快速充电 ● 电机控制和驱动 ● 太阳能系统解决方案
采用TO247-4封装的1200V 7mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET单管
数据表：IMZA120R007M1H采用TO247-3封装的1200V 14mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET单管
数据表：IMW120R014M1H采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET单管
数据表：IMZA120R020M1H三电平1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy模块
数据表：F3L8MR12W2M1HP_B11SixPACK 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy三相桥模块
数据表：FS55MR12W1M1H_B11半桥1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy模块
数据表：FF2MR12W3M1H_B11
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