随着物联网(loT)的发展和工业4.0时代的到来,工业环境不断变化,正朝着提高能效,实现功率微型化和改善系统可靠性的转型之路前进。
怎样迎接工业转型带来的上述挑战?安世半导体智能工业应用方案或许能够给出答案。请您随我们一起开启闯关,踏入一场干货满满的宝藏之旅。
活动时间:即日起--2月28日
活动流程:
• 点击下方“开始探索”按钮,填写并提交表单;
• 请根据序号依次完成3个安世半导体智能工业应用的探索,并根据给出的资料完成共计9题(每个应用3题),答对5题以上的玩家即可获得抽奖资格;
• 每人仅有一次参与答题的机会,请慎重作答,活动结束后,我们将抽取30位玩家赠送下方礼品。
活动奖品:
Nexperia 总部位于荷兰,是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia 的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia 为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准,获得广泛认可。Nexperia 拥有丰富的 IP 产品组合和持续扩充的产品范围,并获得了 IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001 和 ISO 45001 标准认证,充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。>>进入 Nexperia 官网
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工业电源(PSU)需具有安全高效的特点。此外,工业PSU还必须满足功率因数校正(PFC)等法定要求。典型的应用包括DIN轨道电源或高效的稳健电源。根据电源要求和外形尺寸需求,可以使用许多不同的拓扑结构。常用的拓扑结构为全桥拓扑,AC供电,采用功率因数校正(PFC)技术。
闯关规则:选择每个产品中至少一个资料(数据手册、白皮书等)阅读后,开始答题!
产品介绍:
QR反激控制器常用于DC/DC变换器的辅助电源部分,作为最为常见的且具有高性价比的辅助电源方案,它能够能够为低压器件提供稳定高效的电源输入。
产品特征:
› 宽 VCC 范围(10 V 至 83 V)支持 PD/PPS
› 多模式支持 CCM/QR/DCM/PFM
› QR/DCM/PFM 中的谷值开关操作
› 突发模式,在轻负载和空载下具有超低工作电流
› 65 kHz 或 85 kHz 最大频率选项
› 内部软启动 (SST)
› 输出过压保护 (OVP)
› 扩频以实现更好的 EMI
› 内部过温保护 (OTP)
› 通过 NTC 电阻器实现外部 OTP
› VCC 过压/欠压保护 (VCC OV/UV)
› 线路电压欠压、欠压 (BNI/BNO)
› 输出短路保护 (SCP)
› CS 开路/短路保护
› 次级整流器短路保护 (SRSP)
› 过载保护 (OLP)
› 满足 LPS 要求的过功率保护 (OPP)
› TSOT23-6 封装
采用CCPAK1212封装的100 V,0.99 mOhm,N沟道NextPower MOSFET: PSMN1R0-100ASF
产品介绍:
Power MOSFET作为最广泛应用的功率器件,可以用于DC/DC变换器的主功率管,也可以用于辅助电源。一颗具有高功率密度的Power MOSFET会是决定变换器高效率的重要因素。
产品特征:
› 低 Qrr 可实现更高的效率和更低的加标
› 低 QG × RDSon FOM,适用于高效开关应用
› 强大的雪崩能量等级 (Eas)
› 雪崩评级,100%通过测试
› 无 Ha 且符合 RoHS 标准
采用 LFPAK56E 封装的 80 V, 2.4 mOhm, 231 A, N 沟道NextPower MOSFET: PSMN2R6-80YSF
产品介绍:
Power MOSFET作为最广泛应用的功率器件,可以用于DC/DC变换器的主功率管,也可以用于辅助电源。一颗具有高功率密度的Power MOSFET会是决定变换器高效率的重要因素。
产品特征:
› 低 Qrr 可实现更高的效率和更低的加标
› 低 QG × RDSon FOM,适用于高效开关应用
› 强大的雪崩能量等级 (Eas)
› 雪崩评级,100%通过测试
› 无 Ha 且符合 RoHS 标准
采用CCPAK1212封装的650 V, 33 mOhm 级联型 GaN FET: GAN039-650NBB
产品介绍:
GaN FET基于新一代宽禁带半导体材料,能够为系统效率带来巨大的提升,并且优化麻烦的散热问题。Cascode GaN FET能够应对大电流的场景,是下一代高功率工业电源的关键。
产品特征:
› 使用标准电平 MOSFET 栅极驱动器,简化驱动器设计
› 坚固的栅极氧化层,具有 ±20 V VGS 额定值
› 4 V 的高栅极阈值电压,可实现栅极反弹抗扰度
› 低体二极管 Vf,可降低损耗并简化死区时间调整
› 瞬态过压能力,提高稳健性
› CCPAK 封装技术
产品介绍:
肖特基二极管可能是功率变换系统里最常见的分立器件,尽管它们常常被忽略。肖特基二极管具有超快的反向回复时间和超低的正向导通压降,适用于任何高速信号处理和开关应用。
产品特征:
› 低漏电流
› 低正向电压
› 超小型塑料SMD封装
› 热稳定性高,安全操作面积大
› 采用夹片键合技术,功率高
很明显,电源不再被视为事后的想法,只有在产品或系统核心功能的设计和原型之后才能解决。更重要的是,随着高效和有效的电源管理处于或接近设计议程的最重要位置,不仅电源工程师比以往任何时候都更重要,而且其他工程师也必须拓宽他们的技能,以应对电源和效率方面的挑战。
闯关规则:选择每个产品中至少一个资料(数据手册、白皮书等)阅读后,开始答题!
1200 V 40 mΩ, N沟道 SiC MOSFET: NSF040120L4A0
产品介绍:
作为业界的”香饽饽“,1200V SiC MOSFET对于三相变频器系统的优点显而易见:它具有更高的电压等级,更快的开关速度和更好的散热能力等等。此外,更少的电流纹波能进一步提高电机运行效率和性能。
产品特征:
› RDSon温度依赖性优于同类产品
› 开关损耗非常低
› 快速反向恢复
› 开关速度快
› 关断时的开关损耗不受温度变化影响
› 固有体二极管速度很快且稳健性佳
› 由于额外的 Kelvin 源极引脚,更快的换向和增强的
› 开关效率
650 V, 40 A IGBT: NGW40T65M3DFP
产品介绍:
IGBT仍然是这个市场上主功率开关的首选,数不尽的成功案例以及持续更新的规格使得它能为变频器设计带来更多的可靠性,同时不乏性能上的提升。IGBT用于变频器的逆变和制动环节,大电流能力适用于中高压变频器,优秀的短路能力也能为系统以及器件的可靠性提供坚实保障。
产品特征:
› 集电极电流 (IC) 额定值为 40 A
› 低导通和开关损耗
› 稳定且精准的参数,便于并联运行
› 最高结温为175
› 全额软快速反向恢复二极管
› 5 μs短路能力(针对M3)
› 符合 RoHS 标准的无铅电镀
产品介绍:
快速恢复二极管可以用于变频器的输入整流电路和刹车电路,是最为常见的半导体器件之一。相比SiC SBD,快速恢复二极管具有更低的正向导通压降,加之更低的成本更加适用于整流电路。除此之外还可以在其它地方如栅极驱动电路中见到FRD的身影。
产品特征:
› 1 mm 封装高度,适用于薄型 PCB 设计
› 与 SMx 封装相比,CFP 封装节省高达 60% 的空间
› 由于采用实心铜夹片键合,具有高电流脉冲能力
› 高效平面技术 / 高功率密度
› 低磁感应优化了开关行为
› 200 V 超快速开关部件,具有 < 20 ns 的优化
› 恢复时间 (trr)
› 高速开关能力
› 超低正向压降和低泄漏,实现高效率
› 符合AEC-Q101标准,结温高达175 ℃
协作机器人 / 智能搬运机器人正在使共享空间内的人机交互世界迅速成为常态。人机交互现在可以从简单的共存和合作到完全协作。目前,大多数协作机器人相对较小,最大有效载荷能力在0.5至20kg之间,同时保持良好的射程,且不牺牲精度、速度或可重复性。
闯关规则:选择每个产品中至少一个资料(数据手册、白皮书等)阅读后,开始答题!
采用LFPAK88封装的N沟道 100 V, 2.3 mOhm ASFET: PSMN2R3-100SSJ
产品介绍:
Si MOSFET在工业伺服系统中的应用十分广泛,凭借其高效的开关特性和低导通损耗,为电机驱动设计提供了卓越的性能支持。随着Si MOSFET的工艺和封装逐渐进步,其应用场景逐步拓展,电池供电的大扭矩电机驱动系统的面世可以进一步推动工业自动化中多样化电机应用如AGV等的普及和发展。
产品特征:
› 无需 VGS(th) 匹配
› 低 ΔID 增强了并联应用中的均流
› 降低 VGS(th) 点差
› 低 RDSon
› 最大 255 A 连续ID
› 雪崩评级,100%通过测试
› 紧凑可靠的 8x8 LFPAK88 封装,最高温度
› 可达 175 °C
产品介绍:
半桥结构是BLDC、PMSM和伺服驱动系统的关键,而作为配套器件,半桥栅极驱动器以它双通道的设计、大电流的输出能力和完善的保护功能完美适配常见的低压工业电机应用。
产品特征:
› 可接受 TTL 和 CMOS 两种逻辑电平
› 8 V-17 V供电范围
› 内部集成二极管的自举电源
› HS 引脚的电压耐受能力-5 V到115 V
› 高达4 A(峰值)的拉电流和5 A的灌电流
› 输入输出延迟低至13纳秒
› 通道间延迟误差仅1纳秒
› HS 和 LS 驱动器均具备欠压锁定保护
采用DFN封装的650 V,140 mOhm GaN FET: GAN140-650EBE
产品介绍:
GaN FET的高频开关能力使得它同样适合在低压电机应用中采用,没有体二极管的反向恢复问题,意味着理论上超高的开关频率,如此一来,基于WBG的新型高速电机可以在更多场景中被采用。此外,E-mode GaN FET也可以用于控制充电电路,超低的RDSON可以带来更低的损耗和温升问题。
产品特征:
› 增强模式 - 常闭电源开关
› 超高频开关能力
› 无体二极管
› 低栅极电荷、低输出电荷
› 适用于标准应用
› ESD 保护
› RoHS、无铅、符合 REACH 标准
› 高效率和高功率密度
› 低封装电感和低封装电阻