当下，太阳能面板和电动汽车(EV)充电器日益普及、车辆也日益电气化，安世半导体拥有丰富且广泛的高性能器件产品组合，从发电端（光伏逆变器）、储能端、到电动汽车充电端等重要环节，安世半导体都能提供产品支持，助力其高效运转。
安世半导体可以提供用于光伏逆变器的符合 AEC-Q101 标准的高性能电源转换收发器、NPN / PNP突破性小信号晶体管等；还可以提供用于储能的ESD保护器件；以及应用于新能源EV、符合严苛车用标准的MOSFET器件等。
活动时间：即日起--11月20日
活动流程:
1、点击下方“开始闯关”按钮，填写并提交表单；
2、根据序号，依次点击安世半导体新能源站（共3站），根据每关的闯关规则进行答题闯关（每关1题）；
3、活动结束后，我们将从完成全部闯关的参与者中，抽取30位赠送下方礼品。
活动奖品：
Nexperia 总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia 的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia 为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia 拥有丰富的 IP 产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了 IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001 和 ISO 45001 标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。>>进入 Nexperia 官网
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光伏逆变器可以将光伏太阳能板产生的可变直流电压转换为市电频率交流电的逆变器，可以反馈回商用输电系统，或是供离网的电网使用。
闯关规则：阅读内容并点击每个产品中至少一个数据手册或应用笔记后回答问题即可闯关！
8位双电源转换收发器，
3态74LVC8T245PW
车规级：74LVC8T245PW-Q100
产品介绍：
74LVC8T245 是 8 位双电源转换收发器，具有 3 态输出，可实现双向电平转换。它们具有两个数据输入输出端口（引脚 A 和 Bn）、一个方向控制输入 （DIR）、一个输出使能输入 （OE） 和双电源引脚 （VCC（A） 和 VCC（B））。这些器件完全适用于使用 IOFF 的部分关断应用。74LVCH8T245中的有源总线保持电路将未使用或浮动数据输入保持在有效的逻辑电平。
产品特征：
• 高抗噪性
• 符合 JEDEC 标准
• 静电保护
• 挂起模式
• 闩锁性能超过 100 mA，符合 JESD 78B II 类标准
• ±24 mA 输出驱动 （VCC = 3.0 V）
• 输入可接受高达 5.5 V 的电压
• 低功耗：30 μA （最大值）
• IOFF电路提供部分省电模式操作
• 额定温度范围为 -40 °C 至 +85 °C 和 -40 °C 至 +125 °C
产品功能：
• 电平转换器
• 与门、非门
60 V、6.2 A NPN 低 VCEsat （BISS） 晶体管
PBSS4041NX;
60 V、5 A PNP 低 VCEsat （BISS） 晶体管
PBSS4041PX
*提供SPICE模型
产品介绍：
NPN / PNP 低 VCEsat BISS 突破性小信号晶体管采用中等功率扁平引线 SOT89 （SC-62） 表面贴装器件 （SMD） 塑料封装。
产品特征：
• 极低集电极-发射极饱和电压VCEsat
• 高集电极电流能力 IC 和 ICM
• 高 IC 下的高集电极电流增益 （hFE）
• 通过较少的热量产生实现高能效
• 所需的印刷电路板 （PCB） 面积比传统晶体管更小
产品功能：
• IGBT 驱动
100 V、12 A 低漏电流沟槽 MEGA 肖特基势垒整流器PMEG100T120ELPE；
100 V、20 A 低漏电流沟槽 MEGA 肖特基势垒整流器PMEG100T200ELPE
*提供SPICE模型
产品介绍：
沟槽最大效率通用应用 （MEGA） 肖特基势垒整流器封装在 CFP15B （SOT1289B） 电源和扁平引线表面贴装器件 （SMD） 塑料封装中。
产品特征：
• 低正向电压
• 低 QRR 和低 IRM
• 低漏电流
• 通过clip-bonding技术实现高功率能力
• 小型扁平引线SMD功率塑料封装
产品功能：
• 辅助电源
IGBT 沟槽结构，快速恢复二极管 NGW75T60H3DF
产品介绍：
为满足对高效、高电压功率变换和电机驱动日益旺盛的需求，Nexperia的IGBT采用先进的载流子储存沟栅(CSTBT)场截止(FS)工艺。它为工业应用带来了高可靠性的同时, 还提高了功率密度。
产品特征：
• 低导通和开关损耗
• 高可靠性
• 稳定且精准的参数，便于并联运行
• 最高结温为175
• 全额软快速反向恢复二极管
• 5 μs短路能力（针对M3）
• 可实现出色的系统效率和可靠性
产品功能：
• 功率转换 DC AC
一种装置把一段时期内暂时不用的多余能量通过某种方式收集并储存起来，在使用高峰时再提取使用，或者运往能量紧缺的地方再使用，这种方法就是能量存储。
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低电容双向ESD保护二极管 PESD5V0U1BA
*提供SPICE模型
产品介绍：
低电容双向静电放电 （ESD） 保护二极管采用非常小的 SOD323 （SC-76） 表面贴装器件 （SMD） 塑料封装，旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬变造成的损坏。
产品特征：
• 单线双向ESD保护
• 低二极管电容：Cd = 2.9 pF
• 超低漏电流：IRM = 5 nA
• 高达 10 kV 的静电放电保护
• IEC 61000-4-2，4 级 （ESD）
产品功能：
• CAN通信
• WIFI module
• RS485
150 V、2 A NPN 高压低VCEsat晶体管 PBHV8215Z
产品介绍：
NPN 高压低 VCEsat 晶体管，采用中等功率 SOT223 （SC-73） 表面贴装器件 （SMD） 塑料封装。
产品特征：
• 高压
• 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
• 高集电极电流能力 IC 和 ICM
• 高 IC 下的高集电极电流增益 （hFE）
• 中等功率 SMD 塑料封装
• 符合 AEC-Q101 标准
产品功能：
• BMS IC的辅助电源供电
80 V、8 A PNP 高功率双极性晶体管 MJD45H11
产品介绍：
PNP 高功率双极性晶体管，采用功率 DPAK、TO-252 （SOT428C） 表面贴装器件 （SMD） 塑料封装。
产品特征：
• 高散热能力
• 通过较少的热量产生实现高能效
• 电气上类似于 MJD45H 系列
• 集电极-发射极饱和电压低
• 开关速度快
产品功能：
• BMS IC的辅助电源供电
由电机、电控和减速器构成，是电动车的心脏，相当于传统燃油车中的发动机+变速箱。
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650 V、1 A 超快恢复整流器 PNU65010ER-Q
*提供SPICE模型
产品介绍：
高功率密度、超快开关时间恢复整流器，采用高效平面技术，封装在小型扁平引线 CFP3 （SOD123W） 表面贴装器件 （SMD） 塑料封装中。
产品特征：
• 反向电压 VR ≤ 650 V
• 正向电流 IF ≤ 1 A
• 典型开关时间转换器为 35 ns
• 铂掺杂寿命控制
• 低电感
• 电源和扁平引线SMD塑料封装
• 通过夹合技术实现高功率能力
• 平面模具设计
• 符合 AEC-Q101 标准，推荐用于汽车应用
产品功能：
• AUX power辅助电源
双 N 沟道 40 V、4.2 mΩ 标准电平 MOSFET，
采用 LFPAK56D封装（半桥配置）BUK7V4R2-40H
产品介绍：
采用LFPAK56D封装（半桥配置）的双通道标准电平 N 沟道 MOSFET，采用 Trench 9 TrenchMOS 技术。该产品的设计符合AEC-Q101标准。
该器件非常适合用作高性能汽车PWM应用中的半桥开关。
产品特征：
• LFPAK56D具有半桥配置的封装可实现：
- 降低 PCB 布局复杂性
- 通过减少三相电机驱动的元件尺寸来缩小PCB尺寸
- 通过优化的封装设计提高系统级Rth(j-amb)
- 更低的寄生电感，支持更高的效率
- 与LFPAK56D双封装兼容
• 先进的 AEC-Q101 级沟槽 9 硅技术：
- 低功率损耗，高功率密度
- 卓越的雪崩性能
- 重复雪崩额定值
• LFPAK铜夹封装提供高坚固性和可靠性
• 鸥翼引脚支持高可制造性和自动光学检测 （AOI）
产品功能：
• 12 V 汽车系统
N沟道 40 V, 1.0 mΩ 标准LFPAK88封装MOSFET BUK7S1R0-40H
*提供SPICE模型
产品介绍：
符合汽车标准的 N 沟道 MOSFET，采用最新的 Trench 9 低阻值超结技术，采用铜夹式LFPAK88封装。该产品经过全面设计和认证，可满足 AEC-Q101 以外的要求，提供高性能和可靠性。
产品特征：
• 完全符合汽车标准，超越 AEC-Q101
• LFPAK88封装
• LFPAK铜夹技术改进了引线键合封装：
- LFPAK鸥翼引脚
- 独特的 40 V 沟槽 9 超结技术
产品功能：
• 12 V 汽车系统
