kingsing2 发表于 2015-1-17 00:45

IR2181做的H桥电机驱动无法工作

本帖最后由 kingsing2 于 2015-1-17 10:13 编辑

如下图是我的电路图,麻烦大家帮忙解答一下。

我觉得按照分析应该没有问题,但是实际上不工作。

分析:
输入Motor_L_PWM是PWM波,Motor_L_DIR是方向控制;当方向控制为1时,这时候

U2A的3输出PWM波,U2B的6输出0,即U6的2输入0,另外U3的3管脚也输入0,那么

MOS管Q2、Q3一直关断;

而Q4一直打开,Q1由PWM波形控制。

当PWM为高时,Q1打开,电机开始转;

当PWM为低时,Q1关断,但是电机的自感使得有电流继续流过电机,则电流流向:电机->Q4->地->D11

进行回流,这时候电机左端的电位由于D11的箝位作用,应该小于0,那么VCC_15V就可以通过D1给C3充电。

当PWM再次为高时,Q1又打通,电机又开始转,电机左端的电位开始上升,由于C3的自举作用,U3

的VB与VS的电位差可以视为不变,可以保持输出稳定。

但是怎么调都不工作,实际上电机两端的电位只有7V左右。

是不是IR2181这个High And Low side Driver不可以这么用呢?有没有做过的大神帮忙解答一下?


maychang 发表于 2015-1-17 08:30

你的帖子里面,我们只能看到这样的图

kingsing2 发表于 2015-1-17 10:13

maychang 发表于 2015-1-17 08:30
你的帖子里面,我们只能看到这样的图我改好了,麻烦帮忙看一下。

maychang 发表于 2015-1-17 10:35

kingsing2 发表于 2015-1-17 10:13
我改好了,麻烦帮忙看一下。IR2181这类隔离芯片不能这样使用。
这类芯片,高端驱动MOS管的电源是电容C3和C1。该电容所储存的电能仅够高端MOS管几次“开关”使用,所以必须低端和高端交替工作,每次都对电容充电。
你的电路,低端MOS管有持续关断的时候,那么电容无法充电,高端MOS驱动没有电源,也就无法被驱动到导通。





dontium 发表于 2015-1-17 15:22

楼上点中了要害

kingsing2 发表于 2015-1-17 18:37

maychang 发表于 2015-1-17 10:35
IR2181这类隔离芯片不能这样使用。
这类芯片,高端驱动MOS管的电源是电容C3和C1。该电容所储存的电能仅够高端MOS管几次“开关”使用,所以必须低端和高端交替工作,每次都对电容充电。
你的电路,低端MOS管有持续关断的时候,那么电容无法充电,高端MOS驱动没有电源,也就无法被驱动到导通。

照你这么说是Q1与Q3一起成为一对工作,那我之前分析的是Q1与Q4成对是不是不行?
另外照你说的是不是得成为双极性驱动方式?那我是不是只要改一下控制方式(图中的门电路部分)就行了?
另外我后来做了一个小的测试电路如下图:我给LIN输入低是LO却输出高电平,不知道什么原因,可能是我的芯片坏了,我用的是之前那个电路用的芯片。


maychang 发表于 2015-1-17 19:06

<div class='shownolgin' data-isdigest='no'>是应该改图中的门电路部分。
你不仅要控制电机转速,而且要控制电机旋转方向,可以考虑采用移相方式控制。
至于芯片输出高电平,我不知道是什么原因。这种测试应该输入方波,示波器看输入输出波形。</div><script>showreplylogin();</script><script type="text/javascript">(function(d,c){var a=d.createElement("script"),m=d.getElementsByTagName("script"),eewurl="//counter.eeworld.com.cn/pv/count/";a.src=eewurl+c;m.parentNode.insertBefore(a,m)})(document,523)</script>

kingsing2 发表于 2015-1-17 21:40

<div class='shownolgin' data-isdigest='no'>maychang 发表于 2015-1-17 19:06
是应该改图中的门电路部分。
你不仅要控制电机转速,而且要控制电机旋转方向,可以考虑采用移相方式控制。
至于芯片输出高电平,我不知道是什么原因。这种测试应该输入方波,示波器看输入输出波形。嗯 ,多谢你的回答。
但是我板子已经打出了,打算用ir2104替代试试看(当然把其中一些线给改一下)




</div><script>showreplylogin();</script>

kingsing2 发表于 2015-1-18 22:52

<div class='shownolgin' data-isdigest='no'>maychang 发表于 2015-1-17 19:06
是应该改图中的门电路部分。
你不仅要控制电机转速,而且要控制电机旋转方向,可以考虑采用移相方式控制。
至于芯片输出高电平,我不知道是什么原因。这种测试应该输入方波,示波器看输入输出波形。


你好,我今天又搭了个小电路,如下:
其中PWM1与PWM2是互补的,是单片机的PWM经过简易的三级管开关得到的。电路可以工作,也可以调速,但是下桥的MOS管发热严重,转速越快越热,而上桥基本不发热,不知道是什么原因。
另外自举电容改用哪种电容,钽电容、瓷片、还是铝电解?
谢谢!

</div><script>showreplylogin();</script>

maychang 发表于 2015-1-19 00:35

<div class='shownolgin' data-isdigest='no'>自举电容通常使用铝电解电容。

你所说的下臂发热,有可能是互补的PWM信号没有“死区”。所谓“死区”是指上管关断时下管并不立即导通,而是稍微延迟一点点,同样下管关断时上管也不立即导通,而是稍微延迟一点点。换言之,有一段时间两管均关断。这是因为MOS管或者IGBT总是导通稍快而关断稍慢,若驱动信号恰恰互补,那么就会出现在很短时间内两管均导通的现像。这仅仅是猜测,是否这个原因,需要测量电源电流,看是否有很大的尖峰。</div><script>showreplylogin();</script>

kalin2023 发表于 2023-8-17 08:25

<div class='shownolgin' data-isdigest='no'>电子设计新人,来学习学习,看看大神们的思路都是怎么样的。</div><script>showreplylogin();</script>

lkh747566933 发表于 2023-10-22 16:12

<div class='shownolgin' data-isdigest='no'>电子设计新人,来学习学习,看看大神们的思路都是怎么样的。</div><script>showreplylogin();</script>
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