半导体、IC生产线上的静电危害
①静电库仑力的危害：静电库仑力作用下吸附的粉尘、污物，可能带给元器件，从而增大泄露或造成短路，使性能受损，成品率大大下降。如粉尘粒径>100微米，铝线宽度约100微米，薄膜厚度在50微米以下时，最易使产品报废，这种情形多发生在腐蚀清洗、光刻、点焊和封装等工艺过程中 ②静电放电引起的危害：如有数千、数万伏的高电位物体发生脉冲刷形放电或火花放电时，瞬间会有很高的放电电流流向大地时，形成脉冲状的电流峰位在20A，造成可观的影响，静电放电(ESD)还伴随着电磁波发射，会引起种种危害。 A、MOSIC等半导体器件将被静电放电(ESD)击穿或半击穿。MOS场效应管其栅极是从氧化膜引出，栅极与衬底间是隔着一层氧化膜，当栅极与衬底间的电压超过一定值，氧化膜便被击穿，如果MOSIC，则全部报废了当施加电压于天UB=50-100V，氧化膜便会被击穿，因为栅极电容很小(约几个微微法)，输入阻搞很高(约1014Ω以上)，这样，少量的电荷就会产生很高电压，电荷也很难汇漏，只要大于50V(无保护)就会烧毁，所以，只要人手一摸栅极，元件就坏了，因为人带电超过50V是平常事。 我们可以了解到集成电路对静电敏感性，各种芯片不同之处在于所能承受的耐静电压值不同。实际工用条件中，几乎20V的静电压直接接触器件就足以毁坏或降低性能。 静电放电损坏元器件使整块印刷电路板失去作用，造成经济损失； 静电放电的噪声引起机器设备的误动作或故障一间接放电影响，电容放电测得结果，除产生瞬间脉冲大电流外，还会产生跨越数兆赫兹，甚至数百赫兹的强大噪声。近年来，静电放电噪声引起计算机误动作的基础研究取得很大进展。 放电时产生的电磁波进入接收机后，会产生杂音，干扰信号从而降低信息质量，或引起信息误码。 {:1_100:}{:1_100:}{:1_100:}{:1_100:} 支持一下，学习了谢谢楼主 MOSFWT的栅极本来就薄，运放中（尤其是输入级）的那些就更薄，有些运放的输入级是BJT的，那是 超β BJT，基区也是超级薄，反向耐压就那么几V。 学习一下，支持LZ分享 感觉这个东西太专业了，有点驾驭不了，不是很懂。 工艺是很重要的，环境也是。
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