什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?
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<p>随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,<strong>栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命具有决定性的影响</strong>。因此,深入理解栅极氧化层的特性,并掌握其可靠性测试方法,对于推动碳化硅 MOSFET的应用和发展具有重要意义。</p>
<p>今天的“SiC科普小课堂”将聚焦于“栅极氧化层”这一新话题:“<strong>什么是栅极氧化层?如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?</strong>”让我们一起跟随基本半导体市场部总监魏炜老师的讲解,揭开这一技术领域的神秘面纱。</p>
<p>栅极氧化层,确实是神秘面纱</p>
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