存储器：S27KS0643GABHA023，S70KL1283GABHV020，S70KS1282GABHI023
<p>明佳达，星际金华供求 存储器：S27KS0643GABHA023，S70KL1283GABHV020，S70KS1282GABHI023</p><p> </p>
<p>S27KS0643GABHA023 PSRAM 存储器 IC 24-FBGA 集成电路芯片</p>
<p>产品描述<br />
S27KS0643GABHA023 是 64MBit 1.8V HYPERRAM™ 自刷新 DRAM（PSRAM），汽车 (85°C) xSPI（八位）HYPERRAM Gen 2.0，采用 24-FBGA 封装。</p>
<p>特性<br />
8 位数据总线 (DQ)<br />
最大访问时间 (tACC)：35 ns<br />
深度掉电（CS# = VCC = 2.0 V，105 °C）： 12 µA<br />
可选 DDR 中心对齐读取选通 (DCARS)</p>
<p>S70KL1283GABHV020 128Mbit 伪 SRAM 存储器 IC 24-FBGA IC 芯片</p>
<p>产品描述<br />
S70KL1283GABHV020 是 128 Mb HYPERRAM™ 自刷新 DRAM (PSRAM)，3.0 V 工业 (105°C) xSPI（八位）HYPERRAM Gen 2.0，24-FBGA。</p>
<p>特性<br />
八进制 xSPI，1.8 V/3.0 V<br />
技术：38 纳米 DRAM<br />
单端时钟 (CK) - 11 个总线信号<br />
在读取事务期间作为读取数据选通输出<br />
DDR 在时钟的两个边沿上传输数据</p>
<p>S70KS1282GABHI023 存储器芯片 24-VBGA 伪 SRAM 存储器</p>
<p>产品描述<br />
S70KS1282GABHI023 是 128 Mb HYPERRAM™ 自刷新 DRAM（PSRAM）存储器。</p>
<p>产品规格：<br />
存储器类型：易失性<br />
内存格式： PSRAM<br />
技术： PSRAM（伪 SRAM）<br />
存储容量：128Mb<br />
内存组织： 16M x 8<br />
内存接口 超级总线<br />
时钟频率：200 MHz<br />
写入周期时间 - 字、页 35ns<br />
存取时间 35 毫微秒<br />
电压 - 电源 1.7V ~ 2V<br />
工作温度：-40°C ~ 85°C (TA)<br />
安装类型 表面贴装类型<br />
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