英飞凌OptiMOS™功率MOSFET IQDH88N06LM5SC，IQDH88N06LM5CGSC N-通道功率MOSFET
本帖最后由 xjjh 于 2024-12-3 15:14 编辑<p>明佳达电子【供求】英飞凌OptiMOS™功率MOSFET IQDH88N06LM5SC，IQDH88N06LM5CGSC N-通道功率MOSFET，长期回收电子物料/呆滞物料/工厂库存/电子库存/个人库存等。</p>
<p> </p>
<p>产品说明：</p>
<p>1、IQDH88N06LM5SC是OptiMOS™ 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封装，具有业界领先的 RDS(on)。</p>
<p> </p>
<p>特征</p>
<ul>
<li>最先进的 60 V 硅技术</li>
<li>出色的 FOM</li>
<li>改进的热性能</li>
<li>超低寄生</li>
<li>最大化芯片/封装比</li>
</ul>
<p> </p>
<p>优势</p>
<ul>
<li>传导损耗最小</li>
<li>降低电压过冲</li>
<li>提高最大电流能力</li>
<li>快速开关</li>
<li>需要并联的器件更少</li>
<li>5x6 基底面上的 RDS(on) 最低</li>
<li>散热性能提高</li>
<li>易于热管理</li>
<li>最佳开关性能</li>
<li>行业标准封装</li>
</ul>
<p> </p>
<p>应用</p>
<ul>
<li>低压驱动</li>
<li>电池供电电动工具</li>
<li>电源</li>
<li>服务器电源</li>
<li>计算和数据存储</li>
</ul>
<p> </p>
<p>2、IQDH88N06LM5CGSC一款OptiMOS™ 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心栅 DSC 封装，具有业界领先的 RDS(on)。</p>
<p> </p>
<p>特征描述</p>
<ul>
<li>最先进的 60 V 硅技术</li>
<li>出色的 FOM</li>
<li>改进的热性能</li>
<li>超低寄生</li>
<li>最大化芯片/封装比</li>
<li>中心栅极基底面</li>
<li>行业标准封装</li>
</ul>
<p> </p>
<p>产品优势</p>
<ul>
<li>最佳开关性能</li>
<li>传导损耗最小</li>
<li>快速开关</li>
<li>降低电压过冲</li>
<li>提高最大电流能力</li>
<li>需要并联的器件更少</li>
<li>5x6 基底面上的 RDS(on) 最低</li>
<li>易于热管理</li>
</ul>
<p> </p>
<p>典型应用</p>
<ul>
<li>50 kW 至 350 kW 的充电器低压驱动</li>
<li>低压驱动</li>
<li>电动工具</li>
<li>电源</li>
<li>计算和数据存储</li>
</ul>
页:
[1]