IMZC120R017M2H（IMZC120R022M2H）MOSFET晶体管 IMZC120R026M2H（IMZC120R040M2H）
<p>【明佳达，星际金华供应，回收】MOSFET晶体管：IMZC120R017M2H（IMZC120R022M2H），IMZC120R026M2H（IMZC120R040M2H）。<br />【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！<br />
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！</p>
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<p>一、IMZC120R017M2H：采用 .XT 互联技术，TO-247-4封装的1200V、97A、17mΩ、CoolSiC™ MOSFET 分立式晶体管<br />
型号：IMZC120R017M2H<br />
封装：TO-247-4<br />
类型：CoolSiC™ MOSFET 分立式晶体管<br />
IMZC120R017M2H - 特征描述：<br />
Tvj = 25°C 时，VDSS = 1200V<br />
TC = 100°C 时，IDDC = 69A<br />
VGS = 18 V、Tvj = 25°C 时，RDS(on) = 17mΩ<br />
开关损耗极低<br />
过载工作温度可达 Tvj = 200°C<br />
短路耐受时间 2 µs<br />
基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.2 V<br />
可防止寄生导通，可采用 0 V 关断栅极电压<br />
坚固的体二极管可实现硬换向<br />
采用 .XT 互连技术，具有同类最佳的散热性能</p>
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<p>二、IMZC120R022M2H：1200V、80A、22mΩ、CoolSiC™ MOSFET 分立式晶体管，采用TO-247-4封装<br />
型号：IMZC120R022M2H<br />
封装：TO-247-4<br />
类型：CoolSiC™ MOSFET 分立式晶体管<br />
概述：CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2：采用 .XT 互联技术的碳化硅 MOSFET 晶体管<br />
IMZC120R022M2H - 特征描述：<br />
在 VGS = 18V、Tvj = 25°C 时，RDS(on) = 22mΩ<br />
开关损耗极低<br />
更宽的最大 VGS 范围 最大 VGS 范围从 -10V 至 +25V<br />
过载工作温度可达 Tvj = 200°C<br />
短路耐受时间 2µs<br />
基准栅极阈值电压 4.2V<br />
稳健的寄生导通<br />
.XT 互连技术</p>
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<p>三、IMZC120R026M2H（碳化硅 MOSFETs 晶体管）：1200V、CoolSiC™ MOSFET 分立式晶体管，TO-247-4<br />
型号：IMZC120R026M2H<br />
封装：TO-247-4<br />
类型：CoolSiC™ MOSFET 分立式晶体管<br />
IMZC120R026M2H - 产品属性：<br />
Tvj = 25°C 时，VDSS = 1200V<br />
TC = 100°C 时 IDDC = 49A<br />
VGS = 18 V、Tvj = 25°C 时，RDS(on) = 25mΩ<br />
开关损耗极低<br />
过载工作温度可达 Tvj = 200°C<br />
短路耐受时间 2 µs<br />
基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.2 V<br />
可防止寄生导通，可采用 0 V 关断栅极电压<br />
坚固的体二极管可实现硬换向<br />
采用 .XT 互连技术，具有同类最佳的散热性能</p>
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<p>四、IMZC120R040M2H：CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2 - 采用 .XT 互联技术的碳化硅 MOSFET 晶体管<br />
型号：IMZC120R040M2H<br />
封装：TO-247-4<br />
类型：CoolSiC™ MOSFET 分立式晶体管<br />
IMZC120R040M2H - 产品规格：<br />
产品种类：碳化硅MOSFET<br />
安装风格：通孔<br />
封装 / 箱体：TO-247-4<br />
晶体管极性：N-通道<br />
通道数量：1 Channel<br />
Vds-漏源极击穿电压：1200V<br />
Id-连续漏极电流：48A<br />
Rds On-漏源导通电阻：40mOhms<br />
Vgs - 栅极-源极电压：- 10V, + 25V<br />
Vgs th-栅源极阈值电压：5.1V<br />
Qg-栅极电荷：39nC<br />
最小工作温度：- 55℃<br />
最大工作温度：+ 175℃<br />
Pd-功率耗散：218W</p>
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<p>【供求】MOSFET晶体管：IMZC120R017M2H（IMZC120R022M2H），IMZC120R026M2H（IMZC120R040M2H），明佳达电子，星际金华长期供应及回收原装库存器件，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！</p>
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