IPDD60R180CM8（IPDQ60R015CFD7）、IPT023N10NM5LF2（IMW65R060M2H）MOSFET晶体管
<p>深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！<br />【供应，回收】IPDD60R180CM8（IPDQ60R015CFD7）、IPT023N10NM5LF2（IMW65R060M2H）MOSFET晶体管。<br />
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！<br />
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！</p>
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<p>一、IPDD60R180CM8：600V，CoolMOS™ 8 N-通道功率MOSFET晶体管，PG-HDSOP-10<br />
型号：IPDD60R180CM8<br />
封装：PG-HDSOP-10<br />
类型：N-通道功率MOSFET晶体管<br />
IPDD60R180CM8 - 产品规格：<br />
系列：CoolMOS™<br />
FET 类型：N 通道<br />
技术：MOSFET（金属氧化物）<br />
Vds-漏源极击穿电压：600 V<br />
Id-连续漏极电流：21A（Tj）<br />
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V<br />
Rds On-漏源导通电阻：180 毫欧<br />
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.7V @ 140µA<br />
Qg-栅极电荷：17 nC<br />
Vgs（最大值）：±20V<br />
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：743 pF @ 400 V<br />
Pd-功率耗散：169W（Tc）<br />
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）<br />
安装类型：表面贴装型<br />
封装/外壳：PG-HDSOP-10</p>
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<p>二、IPDQ60R015CFD7：600V，CoolMOS™ CFD7 N-通道功率MOSFET晶体管，PG-HDSOP-22<br />
型号：IPDQ60R015CFD7<br />
封装：PG-HDSOP-22<br />
类型：N-通道功率MOSFET晶体管<br />
IPDQ60R015CFD7 - 产品属性：<br />
系列：CoolMOS™<br />
FET 类型：N 通道<br />
技术：MOSFET（金属氧化物）<br />
Vds-漏源极击穿电压：600 V<br />
Id-连续漏极电流：149A<br />
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V<br />
Rds On-漏源导通电阻：15 毫欧<br />
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 2.91mA<br />
Qg-栅极电荷：251nC<br />
Vgs（最大值）：±20V<br />
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9900 pF @ 400 V<br />
Pd-功率耗散：657W（Tc）<br />
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）<br />
安装类型：表面贴装型<br />
封装/外壳：PG-HDSOP-22</p>
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<p>三、IPT023N10NM5LF2：100V、2.3mΩ、243A，OptiMOS™ 5 单N-通道MOSFET晶体管<br />
型号：IPT023N10NM5LF2<br />
封装：PG-HSOF-8<br />
类型：单N-通道MOSFET晶体管<br />
IPT023N10NM5LF2 - 产品规格：<br />
产品种类：MOSFET <br />
技术：MOSFET（金属氧化物）<br />
晶体管极性：N 通道<br />
通道数量：1 Channel<br />
漏源电压（Vdss）：100 V<br />
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：243 A<br />
Rds On-漏源导通电阻：2.1 mOhms<br />
Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V<br />
Vgs th-栅源极阈值电压：3.9 V<br />
Qg-栅极电荷：115 nC<br />
功率耗散（最大值）：300 W<br />
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）<br />
安装类型：表面贴装型<br />
封装 / 箱体：PG-HSOF-8</p>
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<p>四、IMW65R060M2H：650V、60mΩ、碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管，TO-247-3<br />
型号：IMW65R060M2H<br />
封装：TO-247-3<br />
类型：碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管<br />
IMW65R060M2H - 产品规格：<br />
晶体管极性：N-通道<br />
通道数量：1 Channel<br />
漏源电压（Vdss）：650V<br />
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A<br />
Rds On-漏源导通电阻：60mOhms<br />
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 25 V <br />
Vgs th-栅源极阈值电压：5.6 V <br />
Qg-栅极电荷：19 nC <br />
Pd-功率耗散：130 W<br />
安装类型：通孔<br />
封装/外壳：TO-247-3<br />
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）</p>
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