xingjijinhua 发表于 2024-12-2 10:36

S70KL1282GABHI023/S28HS01GTGZBHA030/S26HS01GTGABHM020存储器

<p>明佳达,星际金华供求 S70KL1282GABHI023/S28HS01GTGZBHA030/S26HS01GTGABHM020存储器</p>

<p>&nbsp;</p>

<p>S70KL1282GABHI023 128Mbit HyperBus 200 MHz 存储器 IC 表面贴装</p>

<p>产品描述<br />
S70KL1282GABHI023 器件是 1.8 V 或 3.0 V 阵列和 I/O、同步自刷新 DRAM。S70KL1282GABHI023 HYPERRAM&trade; 器件为主机系统提供了一个 HYPERBUS&trade; 从接口。</p>

<p>特性<br />
可选差分时钟 - 12 个总线信号<br />
芯片选择<br />
8 位数据总线<br />
硬件复位</p>

<p>S28HS01GTGZBHA030 1Gbit SPI - 八进制 I/O FLASH - NOR 存储器 IC 24-VBGA</p>

<p>产品说明<br />
S28HS01GTGZBHA030 器件可在 xSPI 接口主控器(主机)未主动读写存储器时管理 DRAM 阵列上的刷新操作。</p>

<p>特性<br />
双向读写数据选通 (RWDS)<br />
在所有事务开始时输出,以指示刷新延迟<br />
在读取事务期间作为读数据选通输出</p>

<p>S26HS01GTGABHM020 1Gbit 200MHz 存储器 IC 24-VBGA</p>

<p>产品描述<br />
S26HS01GTGABHM020 是高速 CMOS、MIRRORBIT&trade; NOR 闪存器件,兼容 JEDEC JESD251 扩展 SPI (xSPI) 规范。</p>

<p>特性<br />
兼容 JEDEC 扩展 SPI (JESD251)<br />
DDR 选件运行速度高达 400-MBps(200MHz 时钟速度)<br />
支持数据选通 (DS),可简化高速系统中的读取数据捕获</p>
页: [1]
查看完整版本: S70KL1282GABHI023/S28HS01GTGZBHA030/S26HS01GTGABHM020存储器