SiC 模块并联驱动振荡的抑制方法
<p>SiC MOSFET与传统 Si器件相比，具有高电压、大电流、高速驱动、低损耗、高温稳定等诸多优点，是新一代器件。 近年来，利用这些优异特性，作为向大功率发展的电动汽车 (EV) 的牵引逆变器电路，并联连接多个 SiC MOSFET元件的功率模块被使用的情况越来越多。<br />另一方面，由于并联使用这样的高速元件，有时会发生元件间的并联驱动振荡 (以下简称振荡)。发生振荡的话元件有破坏的危险，因此抑制对策是市场的重要课题之一。<br />
本应用笔记将介绍有效抑制功率模块振荡的方法。</p>
<h2>目录</h2>
<p>1. 基础理论<br />
1-1. 振荡发生的机制<br />
1-2. 振荡抑制的想法（改善相位差）<br />
1-3. 影响相位裕量的实际参数<br />
2. 模块的寄生电感L<sub>dd</sub>, L<sub>gg</sub>, L<sub>ss</sub><br />
2-1. L<sub>dd</sub>, L<sub>gg</sub>, L<sub>ss</sub>的定义<br />
2-2. 模块布局中的L<sub>dd</sub>, L<sub>gg</sub>, L<sub>ss</sub><br />
3. 总结<br />
4. 参考文献</p>
<p> </p>
<div><span style="font-size:16px;"></span></div>
<p> </p>
<p> </p>
页:
[1]