用5V驱动三极管，或者是MOS管，那个控制线抗干扰能力更强呢？
<p>1. 用5V驱动三极管，或者是MOS管，那个控制线抗干扰能力更强呢？</p><p>2. 用单片机I/O输出的5V和用推挽电路输出出来的电压驱动MOS管，肯定是推挽电路的驱动能力更强，那抗干扰能力会更强吗？</p>
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<p>【用单片机I/O输出的5V和用推挽电路输出出来的电压驱动MOS管，肯定是推挽电路的驱动能力更强，那抗干扰能力会更强吗？】</p>
<p>当然。</p>
<p>推挽电路输出，无论是输出高电平还是输出低电平，其内阻都很小。单片机I/O输出的内阻则比推挽电路要大，尤其是准双向I/O口（例如51单片机）上拉能力很弱，实测仅数十微安。</p>
<p>【用5V驱动三极管，或者是MOS管，那个控制线抗干扰能力更强呢？】</p>
<p>双极型三极管输入端抗干扰能力较强，因为双极型三极管输入电阻相当小。当然，5V控制双极型三极管必须加入限流电阻。</p>
<p>楼上回答的很全面了，没有补充。</p>
<p>用推挽电路，MOS管的驱动级串联电阻，驱动级到 地 接一个电阻，这样抗干扰能力强。</p>
<p>单片机I/O输出的驱动能力有限，可能无法满足某些大功率MOS管的驱动需求。</p>
<div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>推挽电路是两个互补的开关管驱动，相互抵消部分共模干扰，在需要高驱动和强抗干扰场合优先选用。</p>
</div><script>showreplylogin();</script><script type="text/javascript">(function(d,c){var a=d.createElement("script"),m=d.getElementsByTagName("script"),eewurl="//counter.eeworld.com.cn/pv/count/";a.src=eewurl+c;m.parentNode.insertBefore(a,m)})(document,523)</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>maychang 发表于 2024-10-19 10:14
【用5V驱动三极管，或者是MOS管，那个控制线抗干扰能力更强呢？】
双极型三极管输入端抗干扰能力较强， ...
<p>还是不太理解为什么输入内阻小的时候抗干扰能力更强呢</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>小太阳yy 发表于 2024-10-19 16:51
还是不太理解为什么输入内阻小的时候抗干扰能力更强呢
<p>板子附近的干扰，主要是由于干扰源与导线之间的分布电容传导到放大器的输入端的。放大器的输入电阻与分布电容容抗之比，构成对干扰源电压的分压。显然放大器输入电阻越小，分到的干扰电压也越小。</p>
<p>但对磁场的干扰，由于磁场干扰是在闭合回路中产生感应电流，那么放大器输入电阻越小（闭合回路总电阻小），感应电流越大。这种情况，放大器输入电阻小就没有什么好处。抑制磁场干扰，应该让闭合回路的面积尽量减小。通常485通讯采用双绞线，就是为了减小回路面积。</p>
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