【初学者】影响功率MOSFET的效率因素分析
<div>同步整流技术相比于传统的肖特基二极管整流技术而言，其效率的提高不仅仅简单的取决于其功率MOSFET管比肖特基二极管的正向压降低这一方面，还有其他很多方面的因素决定。下面Ｗ正激变换器为例，分析功率ＭＯＳＦＥＴ的损耗参数，从中得出影响开关电源效率的一些关键因素。通常，变换器的效率可以表示为；</div><div></div>
<div>效率公式</div>
<div>其中，Po是输出功率，Plosx是除整流损耗外的损耗，Prec为整流损耗。</div>
<div>对于MOSFET整流而言，效率可以表示为：</div>
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<div>其中Rdz(ox)表示整流管的导通电阻，Ddead表示周期内的死区占空比，Pgate代表驱动整流管的门极损耗，VD是功率MOSFET的管压降，Prvsc是指功率MOSFET管在反向恢复阶段所产生的损耗。当电路工作在频率较低，功率较大的情况下时，门极驱动和反向恢复的损耗小到可Ｗ忽略不计。</div>
<div>当输出电压较高时，效率提高的程度并不明显，当输出电压较低时，与之相反，效率提高相对明显。如果整流损耗在总损耗中能起到主要作用时，效率提高会比较大，同样当功率MOSFET的导通电阻比较小、输出电流比较低时，效率提高就会变大。因此可以得出输出电压、输出电流、功率MOSFET管的导通电阻、由功率MOSFET管所取代的肖特基二极管的正向压降对效率的提高都有很大的影响。</div>
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<p>正激变换器的当输出电压较高时，效率提高的程度并不明显，这个主要的因素是什么呢</p>
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