乱世煮酒论天下 发表于 2024-8-18 15:52

模拟MOS子电路

本帖最后由 乱世煮酒论天下 于 2024-8-18 15:52 编辑

<p><p>1、MOS作为开关</p></p>
<p></p>
<p><p>对于N管来说，漏极或源极端点取决于电位高低，导通电阻主要取决于沟道电阻，在开关导通状态沟道电阻很小，开关断开状态沟道电阻很大，因此栅极电压Vgs很大，MOS管工作在非饱和区</p>应用在如下电平转换电路∶</p>
<p></p>

xyxlyfswbl 发表于 2024-8-18 19:20

<p>抱歉我回复没有营养，单纯是为了积分，然后用积分来获得学习资料以用来学习电子</p>

乱世煮酒论天下 发表于 2024-8-18 21:03

xyxlyfswbl 发表于 2024-8-18 19:20
抱歉我回复没有营养，单纯是为了积分，然后用积分来获得学习资料以用来学习电子

<p>加油，一起学习</p>

乱世煮酒论天下 发表于 2024-8-18 22:52

<p>MOS二极管/有源电阻</p>

<p>1、当MOS管的栅极和漏极接到一起时，I-V特性实质上类似于一个PN结二极管，因此称为MOS二极管，MOS二极管被用作电流镜的一个元件和电平转换；</p>

<p>栅极接到漏极确保MOS管工作在饱和区，此时沟道跨导变为沟道电导，MOS二极管等效为电流源和小信号电阻，沟道电阻大小近似为1/gm</p>

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