逆变器驱动电路几个问题请教？
<p>以三相逆变器为例，有六个IGBT需要控制驱动，但是为了节约成本，驱动电源按照逆变器功率的大小有多种，小功率只有一个驱动电源，中等功率有两个驱动电源，大功率有六个驱动电源。所有的驱动电源都是隔离电路转变而来。有两个问题请教。<br />1、在小功率驱动电源，六个IGBT都是采用负母线驱动电源自举驱动，在中等功率，上桥三个驱动电源，下桥三个IGBT共用一个驱动电源。在这样的驱动电路，一个驱动芯片要不同时驱动某一相的上下桥，这就需要驱动芯片能够承受很大的电压变化，这是由于上下桥IGBT交替导通关断所致，请问驱动芯片是如何承受如此大的输出端引起的电压变化的？原理是什么，或许我还是没有明白自举？<br />
2、在存在负电压关断的IGBT驱动电路中，假设现在驱动上桥，正负电压的地端就是输出端，此刻如果上桥导通，输出就是母线电压，这不是给驱动芯片的地端抬高到母线电压了吗，不会影响驱动芯片的驱动正负电压的改变吗？如果下桥导通，输出电压就是负母线，下桥驱动电压不会对输出有很大的电势差吗？这又是怎么回事？<br />
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<p>【请问驱动芯片是如何承受如此大的输出端引起的电压变化的？原理是什么，或许我还是没有明白自举？】</p>
<p>驱动芯片内部使用了一个很高耐压(但电流并不大)的MOS管作为电平移动的放大管，这看看驱动芯片内部结构框图就知道。</p>
<p>【假设现在驱动上桥，正负电压的地端就是输出端，此刻如果上桥导通，输出就是母线电压，这不是给驱动芯片的地端抬高到母线电压了吗】</p>
<p>是的。驱动芯片的输出部分的地端抬高到近似母线电压，但驱动芯片的地端则没有抬高。</p>
<p>零基础的小白，学习学习，有用的知识，刚刚接触变频器这一块。。。</p>
目前采用的是用一路反激式开关电源进行多绕组输出正负电源，供电给隔离驱动芯片从而驱动单个IGBT功率模块（集成了三相全桥的6个IGBT）。逆变器是380V，96KW-400KW。 不是有专门的预驱芯片的吗？一片就可以去驱动整个H桥了。
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