btty038 发表于 2023-5-14 20:58

PIN 二极管:射频电路中的电流控制器

本帖最后由 btty038 于 2023-5-14 21:41 编辑

<p>射频功率</p>

<p align="left">PIN 二极管建模</p>

<p align="left">&nbsp;PIN 二极管是无线电和微波频率下的电流控制电阻器。它是一种硅半导体二极管,其中高电阻率本征 I 区夹在 P 型和 N 型区之间。当 PIN 二极管正向偏置时,空穴和电子被注入 I 区。这些电荷不会立即相互消灭;相反,它们存活的平均时间称为载流子寿命 &tau;。这导致平均存储电荷 Q,它将 I 区域的有效电阻降低到值 RS。</p>

<p align="left">当 PIN 二极管为零或反向偏置时,I 区没有存储电荷,二极管表现为电容器 CT,并联电阻 RP 并联。</p>

<p align="left">&nbsp;PIN 二极管指定以下参数:</p>

<p align="left">&nbsp;R<sub>S</sub> 正向偏置串联电阻</p>

<p align="left">&nbsp;C<sub>T</sub> 零偏置或反向偏置时的总电容</p>

<p align="left">&nbsp;R<sub>D</sub> 零偏置或反向偏置时的并联电阻</p>

<p align="left">&nbsp;V<sub>R</sub> 最大允许直流反向电压</p>

<p align="left">&nbsp;&tau; 载流子寿命</p>

<p align="left">&nbsp;&theta;<sub>AVE</sub> 平均热阻或</p>

<p align="left">&nbsp;PD 最大平均功耗</p>

<p align="left">&theta;<sub>pulse</sub> 脉冲热阻抗或&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 图&nbsp;1</p>

<p align="left">&nbsp;PP 最大峰值功率耗散 通过改变 I 区宽度和二极管面积,可以构建不同几何形状的 PIN 二极管,以产生相同的 RS 和 CT 特性。</p>

<p align="left">这些设备可能具有类似的小信号特性。然而,较厚的 I 区二极管将具有更高的体积或 RF 击穿电压和更好的失真特性。另一方面,更薄的设备将具有更快的切换速度。</p>

<p align="left">这是一个常见的误解,认为载流子寿命 &tau; 是确定最低工作频率和产生的失真的唯一参数。这确实是一个因素,但同样重要的是 I 区的厚度 W,它与 PIN 二极管的渡越时间频率有关。</p>

<p align="left">低频模型</p>

<p align="left">&nbsp;在低频(低于 I 区的渡越时间频率)和直流时,PIN 二极管的行为类似于硅 PN 结半导体二极管。其 I-V 特性决定了正向偏置电流水平下的直流电压。 PIN 二极管的额定正向电压 VF 通常为固定直流偏压。 PIN 二极管的反向电压额定值 VR 是制造商提供的保证,在应用 VR 时,反向电流不会超过指定量(通常为 10 &micro;A)。不一定是雪崩或体击穿电压 VB,它由 I 区宽度(大约 10 V/&micro;m)决定。相同体击穿电压的 PIN 二极管可能具有不同的额定电压。通常,额定电压越低,PIN 二极管越便宜。</p>

<p align="left">大信号模型</p>

<p align="left">&nbsp;当 PIN 二极管正向偏置时,存储电荷 Q 必须远大于 RF 电流 IRF 添加或移除的增量存储电​​荷。为确保这一点,必须满足以下不等式:</p>

<p align="left"></p>

<p align="left">在反向偏置下,二极管的偏置不应超过其直流电压额定值 VR。 PIN 二极管的雪崩或体击穿电压 VB 与 I 区宽度 W 成正比,并且始终高于 VR。在典型应用中,最大负电压摆幅不应超过 VB。 RF 信号瞬时偏移到正偏置方向通常不会导致二极管导通,因为 PIN 二极管的反向到正向开关速度 TRF 很慢。请参阅图2</p>

<p>PIN 二极管的射频电气建模</p>

<p>正向偏置模型</p>

<p>&nbsp;</p>

<p></p>

<p>图&nbsp; 2</p>

<p> &nbsp;</p>

<p>本文介绍了PIN二极管在射频(RF)、超高频(UHF)和微波电路中的广泛应用。PIN二极管是一种特殊的设备,其直流偏置可以以较低的电平控制大量的射频功率。文章详细解释了PIN二极管的工作原理和建模方法,包括正向偏置模型和反向偏置模型。PIN二极管的关键参数如正向串联电阻、总电容、并联电阻、最大反向电压、载流子寿命和最大功耗等也进行了介绍。此外,文章还探讨了PIN二极管的不同几何形状对性能的影响,以及低频模型和大信号模型的应用。总之,本文提供了关于PIN二极管在射频电路中的重要性和特性的综合概述。</p>

<p align="left">PIN 二极管广泛用于 RF、UHF 和微波电路。从根本上说,它是一种设备,其在这些频率下的阻抗由其直流激励控制。 PIN 二极管的一个独特之处在于它能够以低得多的直流电平控制大量</p>

led2015 发表于 2023-5-14 21:30

<p>因为低灵敏度和噪声在选择的时候还要选好的</p>

btty038 发表于 2023-5-16 21:05

led2015 发表于 2023-5-14 21:30
因为低灵敏度和噪声在选择的时候还要选好的

<p>?</p>

高级灰0090 发表于 2024-10-7 17:00

liu5031 发表于 2024-10-9 17:14

<p>PIN二极管属于可变阻抗器,它需要通过一定的频率范围来完成工作任务;从应用范围来看,主要应用于射频、UHF、微波电路之中;从控制方面来看,则可以通过直流电流对阻抗值加以控制(要求两端共同作用完成控制);从特征上来看,它具备自身客观性的独立特异性、性质比较鲜明,比如,偏置电流小、控制射频功率大就非常引人注意。</p>
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