LTC4359做负载开关方案时，为啥烧MOS管？
本帖最后由 hysdzgcsj2020 于 2020-2-2 22:29 编辑<p style="text-align:justify"><span style="font-size:10.5pt"><span style="line-height:150%"><span style="font-family:"Times New Roman""><span style="font-size:12.0pt"><span style="line-height:150%"><span style="font-family:宋体">各位老师：如图片原理图，我使用LTC4359做了一个负载开关的方案，这里使用一对背靠背的MOS管。前面的MOS是充当负载开关，后面的MOS管是充当理想二极管。</span></span></span></span></span></span></p>
<p style="text-align:justify">我的应用需求是有两路直流电源，哪一路电压高，使用哪一路。BAT_MAIN是一路DC24V+；BAT_SLV是另一路DC24V+。我使用的MOS管是英飞凌：IPT015N10N5ATMA1，这个NMOS的参数是：VDSS=100V,IDS=300A,RDON=1.5MOHMS.</p>
<p style="text-align:justify">初步测试过程是：我先测试某一路的控制情况，如只测试第一个通道，接入BAT_MAIN=DC24V+,然后输出接了一个8欧姆的电阻。没有接单片机的控制信号，Q13，Q23(2N7002)这两个NMOS都没有焊接。相当于LTC4359的第5脚是悬空的。根据芯片手册，悬空时，芯片处于使能状态。通电后，系统有输出，负载电流3A左右。然后我用金属导线，将LTC4359的第5脚直接短接到芯片的地VSS,目的是要让芯片进入关断模式，进而关闭主回路上的Q11和Q12这两个NOMS管。达到让负载断电的效果。</p>
<p style="text-align:justify"> 在将芯片SHDN短接到地的瞬间，我看到主回路前面的MOS（Q11）管冒烟了。</p>
<p style="text-align:justify"> 断电后，我将前面的MOS拆掉.测量发现MOS处于击穿状态。 我重新更换一个新的MOS，同样的测试操作，发现还是前面的MOS冒烟了。连续测试了5遍。每次操作一样，每次都是烧前面那个MOS。</p>
<p style="text-align:justify"> 我考虑MOS应该不是电压应力造成 的，系统24V，两倍才48V，管子是100V，300A的。</p>
<p style="text-align:justify"> 为啥每次都是在将芯片SHDN拉低的过程中，前面的MOS冒烟呢。</p>
<p style="text-align:justify"> 我在ADI官网论坛看有好几个人都遇到类似问题。ADI官方也没有给出明显的答复。</p>
<p style="text-align:justify"> 请各位同行给点意见啊。感谢。</p>
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<p>电路是官方新品手册给的么</p>
<p>建议好好检查一下，特别是控制端G极连接</p>
qwqwqw2088 发表于 2020-2-3 08:58
电路是官方新品手册给的么
建议好好检查一下，特别是控制端G极连接
<p>是官方推荐的。</p>
<p>请看一下这个帖子。类似的问题。</p>
hysdzgcsj2020 发表于 2020-2-5 20:35
请看一下这个帖子。类似的问题。
<p>采用背靠背mos没有问题</p>
<p>问题是Q12的MOS关的内阻要大，楼主采用的RDON=1.5MOHMS有点小了</p>
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<p>建议仔细查看官方的手册，弄懂这个mos作用</p>
<p>官方手册这里Q12位置的MOS管位置，建议用的是FDMS86101的内阻8 mOhms</p>
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<div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>你好。前面一个MOS（标号Q11)是充当电子开关，控制输入到输出的路径；后面的MOS（标号Q12)是充当理想二极管，目的是阻断输出到输入的路径。请问你说的关断电阻要大，是啥意思?</p>
</div><script>showreplylogin();</script><script type="text/javascript">(function(d,c){var a=d.createElement("script"),m=d.getElementsByTagName("script"),eewurl="//counter.eeworld.com.cn/pv/count/";a.src=eewurl+c;m.parentNode.insertBefore(a,m)})(document,523)</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>充当的是理想二极管，但是用MOS替代了</p>
<p>MOSFET的导通电阻RDS（ON）直接影响正向压降和功耗<br />
建议仔细看手册MOSFET Selection的前后面的部分</p>
<p>或者就完全选用官方推荐的MOS型号，严格按手册推荐的元器件布局</p>
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</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>你好。我看了一下数据手册。这个芯片方案如果驱动一个背靠背的NOMS，是容易出问题的。这个芯片是动态调节GS电压的，前面的NMOS在GS电压发生变化时，SOA容易出问题。这样来驱动电子开关，是不合适的。</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>365396080，骏龙代理商</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>前辈你好，请问这个问题最后解决了吗？最近也在看这个方案，想了解一下。</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p> </p>
<p>他的一个测试板手册里边写了，使用shdn启动时最大负载电流，大功率负载基本不能用</p>
</div><script>showreplylogin();</script>
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