PowerAnts 发表于 2019-9-7 12:07

一种P-MOS驱动电路

<p></p>

<p>R6两端的脉冲电压幅值= (PWM电压幅值-Vbe)*R6/RE</p>

<p>R4=(PWM电压幅值-Vbe)/(IO允许电流*hFE)</p>

<p>C取值与CISS相当，假如等效为3nF, 再设hFE=100, IO允许电流5mA，则Q2栅源极间的脉冲上升沿约30nS&nbsp;</p>

PowerAnts 发表于 2019-9-7 12:11

<p>时间常数15.6nS，脉冲边沿一般定义为从0.1升至0.9，故上升沿取2倍时间常数</p>

maychang 发表于 2019-9-7 14:05

<p>&ldquo;C取值与CISS相当，假如等效为3nF&hellip;&hellip;&rdquo;</p>

<p>还要考虑C值若是大了些，会不会使Q2门极充电过度而被击穿。</p>

maychang 发表于 2019-9-7 14:06

<p>&ldquo;C取值与CISS相当，假如等效为3nF&hellip;&hellip;&rdquo;</p>

<p>还要考虑C值若是大了些，会不会使Q2门极充电过度而被击穿。</p>

PowerAnts 发表于 2019-9-7 15:12

maychang 发表于 2019-9-7 14:06
&ldquo;C取值与CISS相当，假如等效为3nF&hellip;&hellip;&rdquo;

还要考虑C值若是大了些，会不会使Q2门 ...

<p>C过大肯定有风险，宜偏小此，确保在2倍时间常数渡过密勒平台进入可变电阻区即可（MOSFET的开过程，实际上主要在密肋平台这一小段</p>
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