buck高边驱动（PMOS）
本帖最后由 不亦心 于 2019-9-7 11:38 编辑<p>支持大师的观察室，</p>
<p>水一贴，这个图能符合本版块的要求不，</p>
<p>隔壁二姨家的网友<a href="http://bbs.21ic.com/space-username-tianxj01.html" target="_blank">tianxj01</a>在解答另一个网友高边驱动buck问题给出的解决方案</p>
<p> </p>
<p>重新编辑：</p>
<p>1，原帖地址（站方如果不让外链，请告知删除）：<a href="http://bbs.21ic.com/icview-2859664-1-1.html">http://bbs.21ic.com/icview-2859664-1-1.html</a></p>
<p>2，修改标题，明确内容</p>
<p> </p>
<p><img src="http://bbs.21ic.com/forum.php?mod=image&aid=1298836&size=300x300&key=9d44f640212d65e6&nocache=yes&type=fixnone" /></p>
<p>当然能够进入这个板块。</p>
<p>等着各位发表高见。</p>
本帖最后由 PowerAnts 于 2019-9-7 00:04 编辑
<p>照猫画虎罢！Q3基极对地交流阻抗那么大，还以为在发射极接个三极管就成共射-共基组态了？！</p>
<p>主贴的图中电阻都这么小，发热受得了？服了！</p>
<p> </p>
<p>发一个俺弄的驱动，两个三极管就能用10K电阻很好地在36V的MPPT上跑60K的频率了</p>
<p>公司的图，不乱发。。。</p>
<p>PWM1是ARM输出，3.3V电平</p>
PowerAnts 发表于 2019-9-6 22:44
照猫画虎罢！Q3基极对地交流阻抗那么大，还以为在发射极接个三极管就成共射-共基组态了？！
主贴的图中 ...
<p>没有，是我只转了图过来，没有转他的回复，图只是简单示意一种策略，</p>
<p>他有回下偏并电容，宽范围分压串电阻，包括Q4的B极处理等，</p>
<p>分了几段回复的，我没有搞过来。</p>
<p> </p>
<div class='shownolgin' data-isdigest='no'>不亦心 发表于 2019-9-6 23:51
没有，是我只转了图过来，没有转他的回复，图只是简单示意一种策略，
他有回下偏并电容，宽范围分压串 ...
<p>BJT电路加速，不外乎微分、防饱和、正反馈几大手法</p>
</div><script>showreplylogin();</script><script type="text/javascript">(function(d,c){var a=d.createElement("script"),m=d.getElementsByTagName("script"),eewurl="//counter.eeworld.com.cn/pv/count/";a.src=eewurl+c;m.parentNode.insertBefore(a,m)})(document,523)</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>继续，主贴的图中，Q3完全是多余的。应该去掉，R5也去掉，R4挪到以原Q3的C-E脚，跟据P-MOS的栅荷，在R4上并一个分压及加速电容</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>此图原意是Q4饱和导通时，Q2门极电位不能太低(低于源极20V以上可能击穿)，所以利用Q3来实现箝位。</p>
<p>但是，Q3能否实现箝位，还有疑问。</p>
<p>3楼PowerAnts说“主贴的图中电阻都这么小，发热受得了？”那么将R4R5加大，例如R5为5k，R4为15k，问题就由此而生。</p>
<p>当Q4饱和导通时，其集电极电流即Q3的发射极电流。Q3发射极对地电位仅零点几伏特，Q3基极对地也就是1·伏特多。这是因为Q3发射结和Q4把Q3基极电位拉低了。</p>
<p>既然Q3基极对地电位在Q4饱和导通时可以低到只有1V多，那么Q3集电极对地电位也可以低到1V多。此时R6(假定用1k欧)中电流34mA(36V减去2V，再除以1k欧电阻)。同时Q2门极源极之间电压达33V，多半要击穿。</p>
<p> </p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>不知道各位对我在8楼所说”Q3能否实现箝位，还有疑问“如何看待。我是觉得首帖电路完全不能用。</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p></p>
<p>主贴的图，Q3的偏置等效为27V电压源串750R电阻，以Q4临介饱合计，偏置电路最大可输出电流=（27-0.7-0.7）/ 750= 34（mA), 不小，不过也不大。</p>
<p>假设，需要在R6上产生12V的压降，Q3和Q4的Ic必须为12mA, 由于Q3在线性区无电流放大能力，故Q4的基极电流、hFE离散性和温飘成了决定Q2驱动电平的主要因素，稍有不慎，Q2不是驱动不足发热，就是驱动电压过大被击穿。这个电路根本不稳定，毫无实用价值，画那图的人“喜欢摆弄”三极管，但是还没入门。</p>
<p>要解决此问题，必须将Q3和Q4变成脉冲电流源，比如：</p>
<p> </p>
<p></p>
<p>设PWM为3.3V电压脉冲，Q3提供12mA幅值的脉冲电流源，则RE=(3.3-0.7)/0.012=216.7欧，刚好，E24系列中取220R就OK了，不管上面36V如何变（上限由器件耐压决定），Q3的hFE（但必须>10) 和温度(在允许结温范围）如何变，Q2的驱动电平都比较稳定。</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>maychang 发表于 2019-9-7 08:38
此图原意是Q4饱和导通时，Q2门极电位不能太低(低于源极20V以上可能击穿)，所以利用Q3来实现箝位。
但是 ...
<p>10楼画了一半，去车间转一圈，回来撞车了<img height="28" src="https://bbs.eeworld.com.cn/static/editor/plugins/hkemoji/sticker/facebook/grinning-face-with-smiling-eyes_1f601.png" width="28" />，咱们想到一块儿去了</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>PowerAnts 发表于 2019-9-6 22:44
照猫画虎罢！Q3基极对地交流阻抗那么大，还以为在发射极接个三极管就成共射-共基组态了？！
主贴的图中 ...
<p>层主原图中左侧三极管基极电阻上并联了一个RC回路，是纯做滤波用的吗？</p>
<p>醒来发现图没了，记忆可能有误</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>首帖图是由上图变化来的。</p>
<p>上图是P沟MOS管用作电源开关时常用电路。如果Vin大于20V，则R2不能省去(短路)，因为T导通时，P沟MOS管门极源极之间电压大于20V就可能击穿，所以要用R1R2分压，以保证T导通时P沟MOS管门极源极之间电压不超过允许值。</p>
<p>但此图R1R2数值不可能太小，这样P沟MOS管门极电容充电放电速度不够快。作为电源开关，速度不够快没有多大关系。但作为Buck电路的开关，必须能够在很短时间内实现”开“和”关“，于是必须加入快速充电和快速放电的电路。</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>首帖电路中，D4和Q5是使MOS管门极电容快速放电的电路，但快速充电却不能用Q3实现——MOS管门极要被击穿的。</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>如果输入电压Vin比较稳定，变化不大，可以考虑使用一支稳压管Z来保证T饱和导通时P沟MOS管门极不会被击穿。</p>
<p>MOS管门极电容快速放电，靠Q5和D4。MOS管门极电容快速充电，靠T饱和导通和稳压管Z。稳压管在击穿状态下动态电阻很小，完全可以保证MOS管门极电容充电速度。</p>
<p>此电路缺点，是Vin变化比较大(例如可能从24V变化到48V)情况下不能使用，因为不能保证这么大输入电压变化范围内MOS管门极不会被击穿。Vin变化范围一般不能超过十几V。</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'><p>10楼PowerAnts给出的图，缺点是PWM输入信号幅度要求相当大，这就要求PWM施加到该电路之前先行放大。</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>maychang 发表于 2019-9-7 09:51
10楼PowerAnts给出的图，缺点是PWM输入信号幅度要求相当大，这就要求PWM施加到该电路之前先行放大。
<p>3.3V的PWM电平就够了，R6两端的电压=(3.3-0.65)*R6/Re=12V</p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>PowerAnts 发表于 2019-9-7 10:44
3.3V的PWM电平就够了，R6两端的电压=(3.3-0.65)*R6/Re=12V
<p>这个结论，建立在输入PWM幅度为3.3V稳定不变的基础上。10楼第二幅图，Q3关断自不用说，导通时是线性工作，不进入饱和。这种工作状态下，Q3导通时集电极电流为固定的12mA，此电流值要使MOS快速进入充分导通，还不够。亦即MOS管中电流上升沿不够陡峭。</p>
<p> </p>
</div><script>showreplylogin();</script> <div class='shownolgin' data-isdigest='no'>maychang 发表于 2019-9-7 11:21
这个结论，建立在输入PWM幅度为3.3V稳定不变的基础上。10楼第二幅图，Q3关断自不用说，导通时是线性工作 ...
<p>中午回复你的18楼，结果当时不亦心改主贴让整个贴子处于审核状态，无法回贴。只好就18楼的问题另起了一贴： <a href="https://bbs.eeworld.com.cn/thread-1089566-1-1.html">https://bbs.eeworld.com.cn/thread-1089566-1-1.html</a></p>
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