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[讨论] 容差分析与最坏分析

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纯净的硅(中级)

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发表于 2010-3-29 09:05:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
最近确实在深入查询关于可靠性方面的资料,对我原有的一些概念和一些方法有了一些改变,最为突出的还是常用的一些方法。

有几份比较老的资料,看起来有些吃力,不过如有希望深入去了解的,可以参考一下。老先生写的书就是有些复杂,数学公式有点多的让人头痛一些。

电路参数的容差分析与设计 作者:凌燮亭  链接

相比较而言,有本国外的书本要实际一些,不过我下不来电子书,在google的图书上能预览一部分。窃以为这本书写得非常好,如有哪位下载下来,一定要给我发一份。

Tolerance Analysis of Electronic Circuits Using MATHCAD
Robert Boyd, University of California, Irvine, California, USA

下面有两份较老的军用标准,涵盖了这些设计.

最坏情况电路分析指南GZB/Z 223-2005
电路容差分析指南GZB/Z 89-97

一般来说呢,最坏分析是包含在容差分析之内的,因为汽车电子环境的关系,也包括电子元器件(被动与被动元件)都要经受AECQ的考验。在器件本身公差,环境影响(在汽车电子里面,一般包括温度气候影响,生产焊接,静电等),寿命老化等三方面因素的影响。以前一直奇怪为什么每个国外的整车厂都很在意这个分析,关键还是15年的设计使得汽车电子产品对参数影响需要有很大的依赖性。在做完最坏分析的过程中,连带需要完成器件的降额分析。因为一般元器件的参数都是给出的是典型温度下的典型值,我们分析得到的是最坏情况下的极端值,这两者之间就需要一定的妥协,能够将器件的额定的值进行缩减。

在期刊上找到的大多数的文章与这方面有关的,都是通过PSPICE软件进行仿真,没觉得它不好,只是在分析的过程中,至少需要把每个参数的变化都得搞清楚,而不是仅仅把一个公差输入进去。而且在Review的过程中,拿个PSPICE的结果出来对于暂态分析倒是容易一些,面对复杂的要求,比如每种电路中不同的需要分析的量,我个人认为还是能够通过器件建模,然后采用节点电压法,矩阵计算的过程要容易一些,毕竟所有的过程都是可控和细节化的。

另外一点需要补充的是,蒙特卡洛的参数分布有些是不可知的,虽然有些器件的基本公差是正太分布,但是经历诸多实验的这些分布确实不知道,因此有时候只能假设为平均分布去计算。

最后,采用极端值的算法虽然简单而且方便,不过客观上也在很多时候放大了误差,最直观的影响是温度特性,大多数参数都是温度跟随的(有些是环境温度跟随,有些是结温跟随),这个时候怎么办呢?独立出温度参数,采用假设的方法进行等效,最后通过实验验证吧。因此我倒是希望能够采用,初步设计+最坏分析初步验证+最终实验验证的情况去完成产品的设计。

  大概就是这个样子,继续找资料和码字。  
此帖出自模拟电子论坛


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五彩晶圆(中级)

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发表于 2010-3-30 15:32:11 | 显示全部楼层
好乱啊,能整理么


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