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再探讨一下。
一、关于负电压加在22μF甚至三极管BG的b-e结,有损坏器件的危险的探讨
这个不会损坏器件的。有几方面的因素做保障。
其1:假设互感器次级15V(VPP),反向时,从互感器下端-经R3-R5-BG的eb-R7-DW2-DW1-互感器上端这个回路,因BG的eb、DW2、DW1降压降掉7+0.7+4.3=12V,尚余3V,除以3个82欧电阻,其电流为12mA,不足以损坏回路中各个元件,包括三极管的eb结。
其1:互感器次级的内阻还没有计算在内,电流互感器二次侧匝数多线径细,内阻很大,特别是这种小功率的,往往大于1K欧姆,所以,上述其1的计算还没包括这个内阻,如果包含这个电阻,其电流不应超过5mA。三极管更保险。
二、R6的作用探讨
设计者是从晶体管原理上来考虑的,PN结都有电容,三极管的be结业不例外,虽然很小,但也上百皮法拉,该电阻的作用给这个PN结提供断电时的放电回路,以提高三极管的开关速度。实际上是可以不要的。
三、一定的负载能力(比如1A),在大功率三极管的hFE往往较小。。。。。。的探讨
我们不要用17楼的简图来分析,而应该用12楼的全图来分析,就不会得到这个结论了。
因为12楼的图中,R9是触发电流,只需要1点点电流即可触发可控硅输出大电流;
而16楼的简图中,R1看上去是负载,实际上仅仅是描述原理用的。不过这个1K电阻确实是小了些。
四、何不减少互感次级的圈数以降低损耗的探讨
互感器出厂时,参数是规定了的。不能任意修改,否则不合国标规范。
要改变输出电压,是通过修改R2阻值来调整的。
如5A:0.1A,只要修改R2电阻,如0.1A*82=8.2V;0.1A*100=10V
使用互感器时还规定,不能省略二次侧并联电阻,否则互感器内部容易击穿。 |
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