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[分享] 闸流管和双向可控硅 - 成功应用的十条黄金规则

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纯净的硅(高级)

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发表于 2009-1-5 09:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
闸流管和双向可控硅 - 成功应用的十条黄金规则十条黄金规则汇总
规则1. 为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑。

规则2. 要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须
规则3. 设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+)。

规则4. 为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H 系列低灵敏度双向可控硅。

规则5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题,在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题,加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com 双向可控硅。

更多内容请查看PDF
附件下载 http://www.cntronics.com/bbs/viewthread.php?tid=778&extra=page%3D1&frombbs=1
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裸片初长成(初级)

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发表于 2009-1-6 14:24 | 显示全部楼层

Re: 闸流管和双向可控硅 - 成功应用的十条黄金规则

谢谢楼主分享


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