社区导航

 
查看: 2610|回复: 26

[求助] 这样可以正常驱动mos管吗/

  [复制链接]

29

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

Rank: 2

发表于 2018-7-12 09:23:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
无标题.png 光耦驱动mos管打开 给线圈通过2组超级电容 放电从电容正极通过线圈到mos管d级到s级回到电容负极   mos管栅极通过外加12v电源到s级 通过二极回到系统gnd    现在是可以打开无法关断  不知道这样可以用吗  超级电容一个电源  外部控制栅极电压一个电源 怎么改进下  后边是吧俩组电容分开充电 串联放电
此帖出自模拟电子论坛


回复

使用道具 举报

29

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

Rank: 2

 楼主| 发表于 2018-7-12 09:56:15 | 显示全部楼层
现在是 我已给mos管栅极12v 他就直接导通 烧掉管子 短路了

点评

想必是你给出到MOS管门极12V的持续时间太长,而L2或者L3直流电阻又相当小,导致电流过大而烧毁管子。  详情 回复 发表于 2018-7-12 10:15


回复

使用道具 举报

1万

TA的帖子

0

TA的资源

maychang

Rank: 6Rank: 6

发表于 2018-7-12 10:15:16 | 显示全部楼层
SRAM001 发表于 2018-7-12 09:56
现在是 我已给mos管栅极12v 他就直接导通 烧掉管子 短路了

想必是你给出到MOS管门极12V的持续时间太长,而L2或者L3直流电阻又相当小,导致电流过大而烧毁管子。

点评

我加了栅极的限流电阻 到50k 同时把栅极的下拉电阻也加到100k 现在就不烧了 不知道为什么 难道是栅极电流过大 瞬间?  详情 回复 发表于 2018-7-12 13:21
时间不长 应该是 门限电压12v的电源 与超级电容产生的电源不是同一个地 俩个地之间有个二极管相连 释放不掉 mos G级和s之间的电压  详情 回复 发表于 2018-7-12 10:46


回复

使用道具 举报

1万

TA的帖子

0

TA的资源

maychang

Rank: 6Rank: 6

发表于 2018-7-12 10:18:01 | 显示全部楼层
看不出你的“超级电容”在哪里。C13和C16标注为有极性电容,但数值仅100pF,不知道那是什么东西。

点评

画图的时候 只是个图标 数值并没有改  详情 回复 发表于 2018-7-12 10:43


回复

使用道具 举报

1万

TA的帖子

0

TA的资源

maychang

Rank: 6Rank: 6

发表于 2018-7-12 10:19:08 | 显示全部楼层
“ 后边是吧俩组电容分开充电 串联放电”
看不出电容如何“分开充电,串联放电”。

点评

通过 单片机控制 P 串联是俩个电容本身就在一起串联 通过mos管 进行释放电压  详情 回复 发表于 2018-7-12 10:48


回复

使用道具 举报

1万

TA的帖子

300

TA的资源

版主

Rank: 6Rank: 6

发表于 2018-7-12 10:19:32 | 显示全部楼层
烧MOS管,通过MOS管的电流大了吧,可以适当在增加一些限流电阻


回复

使用道具 举报

29

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

Rank: 2

 楼主| 发表于 2018-7-12 10:43:48 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2018-7-12 10:18
看不出你的“超级电容”在哪里。C13和C16标注为有极性电容,但数值仅100pF,不知道那是什么东西。

画图的时候  只是个图标 数值并没有改  


回复

使用道具 举报

29

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

Rank: 2

 楼主| 发表于 2018-7-12 10:46:30 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2018-7-12 10:15
想必是你给出到MOS管门极12V的持续时间太长,而L2或者L3直流电阻又相当小,导致电流过大而烧毁管子。

时间不长  应该是 门限电压12v的电源 与超级电容产生的电源不是同一个地 俩个地之间有个二极管相连  释放不掉 mos G级和s之间的电压

点评

把“12V的电源”和“超级电容产生的电源”公共点标注清楚,同时说清楚哪个是你的“超级电容”,“超级电容”由什么电源充电,单片机电源为何,单片机电源和“超级电容产生的电源”公共点在哪里,再来提问吧。  详情 回复 发表于 2018-7-12 11:20


回复

使用道具 举报

29

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

Rank: 2

 楼主| 发表于 2018-7-12 10:48:28 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2018-7-12 10:19
“ 后边是吧俩组电容分开充电 串联放电”
看不出电容如何“分开充电,串联放电”。

通过 单片机控制  P   串联是俩个电容本身就在一起串联 通过mos管  进行释放电压


回复

使用道具 举报

1万

TA的帖子

0

TA的资源

maychang

Rank: 6Rank: 6

发表于 2018-7-12 11:20:07 | 显示全部楼层
SRAM001 发表于 2018-7-12 10:46
时间不长  应该是 门限电压12v的电源 与超级电容产生的电源不是同一个地 俩个地之间有个二极管相连  释放 ...

把“12V的电源”和“超级电容产生的电源”公共点标注清楚,同时说清楚哪个是你的“超级电容”,“超级电容”由什么电源充电,单片机电源为何,单片机电源和“超级电容产生的电源”公共点在哪里,再来提问吧。


回复

使用道具 举报

29

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

Rank: 2

 楼主| 发表于 2018-7-12 13:21:43 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2018-7-12 10:15
想必是你给出到MOS管门极12V的持续时间太长,而L2或者L3直流电阻又相当小,导致电流过大而烧毁管子。

我加了栅极的限流电阻  到50k 同时把栅极的下拉电阻也加到100k  现在就不烧了 不知道为什么  难道是栅极电流过大 瞬间?

点评

详见10楼。  详情 回复 发表于 2018-7-12 13:55


回复

使用道具 举报

1万

TA的帖子

0

TA的资源

maychang

Rank: 6Rank: 6

发表于 2018-7-12 13:55:25 | 显示全部楼层
SRAM001 发表于 2018-7-12 13:21
我加了栅极的限流电阻  到50k 同时把栅极的下拉电阻也加到100k  现在就不烧了 不知道为什么  难道是栅极 ...

详见10楼。

点评

看最新 回复。  详情 回复 发表于 2018-7-12 15:20
好的  详情 回复 发表于 2018-7-12 14:43


回复

使用道具 举报

29

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

Rank: 2

 楼主| 发表于 2018-7-12 14:43:16 | 显示全部楼层

好的

点评

[attachimg]363714[/attachimg]CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正 12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是 9*2.7 50F 2套串接 给电容充电的是 V+和GND 为36v 最开始是 模拟搭 建个简易电路 mos管栅极没  详情 回复 发表于 2018-7-12 15:13


回复

使用道具 举报

29

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

Rank: 2

 楼主| 发表于 2018-7-12 15:13:48 | 显示全部楼层

无标题.png CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串接   给电容充电的是 V+和GND 为36v 最开始是 模拟搭 建个简易电路 mos管栅极没有串接10R的电阻 直接接12v测试的  瞬间mos管 源级漏级击穿  现在接上串接10R电阻 到目前还没有烧管 不知道啥原因  mos管是工作在低频上的 对10R的串接电阻应该没影响啊。

点评

到现在你也没有说清楚烧毁的是哪支管子,姑且猜测是Q5或Q9。 Q5或Q9烧毁,应该与管子门极是否串联10欧电阻无关。有关的是D4和D8。如果D8导通,那么CGND这一点电位仅比与GND这一点电位高0.7V,Q5Q9源极比GND高0.7V,  详情 回复 发表于 2018-7-12 16:58
图中有P1.0和P1.1两个标号,似乎是单片机的两个引脚。单片机电源负端若是GND,那么P1.1是不可能控制源极接12V的MOS管Q7的。  详情 回复 发表于 2018-7-12 16:47
看不懂14楼图中C13C16右边部分。 如果Q2Q10均关断,V+与GND之间36V电压经D4D8给C13C16串联充电,这没有问题。但若Q2导通Q10关断,那么36V电压将经D8作用于C16两端,而Q10导通Q2关断,则36V电压将经D4作用于C13两端  详情 回复 发表于 2018-7-12 16:30


回复

使用道具 举报

29

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

Rank: 2

 楼主| 发表于 2018-7-12 15:20:50 | 显示全部楼层

看最新 回复。


回复

使用道具 举报

1万

TA的帖子

0

TA的资源

maychang

Rank: 6Rank: 6

发表于 2018-7-12 16:30:32 | 显示全部楼层
SRAM001 发表于 2018-7-12 15:13
CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串 ...

看不懂14楼图中C13C16右边部分。
如果Q2Q10均关断,V+与GND之间36V电压经D4D8给C13C16串联充电,这没有问题。但若Q2导通Q10关断,那么36V电压将经D8作用于C16两端,而Q10导通Q2关断,则36V电压将经D4作用于C13两端。恐怕C13或C16不能承受36V电压。若Q2Q10均导通,则更危险,36V电压将由V+短路到GND。


回复

使用道具 举报

1万

TA的帖子

0

TA的资源

maychang

Rank: 6Rank: 6

发表于 2018-7-12 16:47:28 | 显示全部楼层
SRAM001 发表于 2018-7-12 15:13
CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串 ...

图中有P1.0和P1.1两个标号,似乎是单片机的两个引脚。单片机电源负端若是GND,那么P1.1是不可能控制源极接12V的MOS管Q7的。


回复

使用道具 举报

1万

TA的帖子

0

TA的资源

maychang

Rank: 6Rank: 6

发表于 2018-7-12 16:58:05 | 显示全部楼层
SRAM001 发表于 2018-7-12 15:13
CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串 ...

到现在你也没有说清楚烧毁的是哪支管子,姑且猜测是Q5或Q9。
Q5或Q9烧毁,应该与管子门极是否串联10欧电阻无关。有关的是D4和D8。如果D8导通,那么CGND这一点电位仅比与GND这一点电位高0.7V,Q5Q9源极比GND高0.7V,不会影响Q5Q9导通,11.3V电压作用于门极,也不会使MOS管Q5Q9损坏。但若D4D8关断,那就很难说了。Q5Q9门极电位完全可能比源极高得多而被击穿。


回复

使用道具 举报

29

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

Rank: 2

 楼主| 发表于 2018-7-13 08:26:15 | 显示全部楼层
没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗?应该属于俩个不同的电源了吧?


回复

使用道具 举报

29

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(中级)

Rank: 2

 楼主| 发表于 2018-7-13 08:26:56 | 显示全部楼层
没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗?应该属于俩个不同的电源了吧? 单片机有电压检测电路 负责控制充电电压  高低


回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

  • 论坛活动 E手掌握

    扫码关注
    EEWORLD 官方微信

  • EE福利  唾手可得

    扫码关注
    EE福利 唾手可得

小黑屋|手机版|Archiver|电子工程世界 ( 京ICP证 060456 )

GMT+8, 2018-10-20 03:21 , Processed in 0.588426 second(s), 17 queries , Gzip On, MemCache On.

快速回复 返回顶部 返回列表