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[讨论] 宜普公司推出基于氮化镓器件高效率电源转换方案

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发表于 2018-7-10 11:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。


宜普公司的EPC9130五相开发板展示出采用高频开关eGaN®功率晶体管、极小型化及增强了效率的电源转换方案。

宜普电源转换公司(EPC)的EPC9130开发板是一款48 V转换至12 V的非隔离稳压式开发板、具用五个相位、每相具12 A、最大输出电流为60安培,开发板的输出功率可以超过700 W。该板具超高功率密度(每立方英寸大于1250 W),其效率高于96%。


EPC9130开发板有五个相位、在半桥配置中包含两个100 V的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)EPC2045及采用uPI 半导体公司的 up1966A 栅极驱动器。发送至栅极驱动器的 PWM 信号由板载 Microchip dsPIC33 微控制器发出。该板包含所有关键元器件,采用可实现最佳开关性能的布局 – 物料清单/成本是每瓦(Watt)低于0.06美元。

各种新兴运算应用都需要更大的功率及更小的外型尺寸。除了服务器市场不断扩大外,其它的应用包括多人游戏系统、全自动汽车、人工智能及比特币挖矿。面对这些应用的要求及挑战,EPC9130大大提升48 V转换至12 V的DC/DC转换器的功率密度而同时使得转换器更小型化、成本更低。

宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow 说:“这种DC/DC系统的功率密度每立方英寸超过1250 W,而效率则高于96%,这是这种电源转换器前所未有的优势。最引人注目的是,元件的成本为每瓦低于0.06美元,比目前投产的系统还要低很多。”

此帖出自电源技术论坛

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发表于 2018-7-10 15:16 | 显示全部楼层
48 V转换至12 V的非隔离稳压式开发板、具用五个相位、每相具12 A、最大输出电流为60安培
成本不会低了


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发表于 2018-7-11 11:21 | 显示全部楼层
效率大于96%。
即以720W计算,发热超过28W。恐怕不能仅靠自然对流冷却吧?


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