社区导航

 
查看: 621|回复: 1

[分享] 大功率的同步升压芯片HB6803应用指南

[复制链接]

2

TA的帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

Rank: 1

发表于 2018-4-8 11:14:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
    Hb6803应用指南
一:pcb布线:
         a: 单点接地,把所有hb6803周边元件的地先接到hb6803的第7脚,第8脚,再接到最后一个输出电容的地上。必须这样做,也很容易做到。大电流的电源+和地,都必须先经过电容的+和地才能给负载供电,不可以不经过电容直接对负载供电(等于电容容量下降很多)。
         b: 主回路(大电流走线)越短越好,含电源正和地线。一者走线有内阻,大电流会发热。二者走线长,EMCEMI都不好过关,相当于电路中加入漏感。为了进一步减少交流阻抗,可以把输入的瓷片电容的地,下功率管的地,和输出瓷片电容的地靠很近,(可以放第二面,和下功率管的反面)。非常有效的减少交流阻抗。
二:mosfet的选择:不光是考虑内阻,主要考虑的是mosfet的开关损耗,有几个关键参数特别注意:a: tr上升沿时间。b: toff 下降沿时间。c: CissCiss越少越好,单管建议不要超过2500pf为好。Ciss太大,会让hb6803发热,同时功率管开通关断损耗加大,降低效率,从而增加发热。暂时小功率的aon754430V),aon650430V),中功率的aon651230V),aon623440V),IRFHM833430V)不错。Aod4186aod4184也行,(比aon6234差些),60V的管子在继续选择。我强烈建议在100w以及以下的应用上,选用好的mosfet,不要用散热片,降低成本,减少空间。
   三:电感选择:电感封值电流应该是额定负载时,输入最低电压时,(12V的铅酸电池是9V),输入电流的2倍到2.5倍(可以初步假设90%的效率,Iin=P/Vin*0.9))。从实践上,可以测试电感发热,温度是否比mosfet还高判断。这等于是判断电感是否磁饱和。我在9V输入时,输出3A-4A,用5uH的电感值,输出电流越大,电感量要求越少。如果在最低输入电压,额定输出时,看到sw波形很乱,可以减少电感值。
   四:输入电容输出电容。强烈建议输出电容要大点,输出电容要是输入电容的2倍到3倍,输入输出电容都用高频低阻品种,同时输入输出电容再并几颗瓷片电容,瓷片电容的esr比较低,成本也低,空间也少,我自己的经验是不要用大容量的瓷片电容,其高频效果比较差(但是没有理论依据,也许是部分厂家的参数不好)。
   五:mosfetG极串联电阻,一方面电阻大,会影响开关速度,降低效率,电阻少呢,会比较大影响负载调整率,(输出电流大,会降低输出电压),我的经验是下管在1欧到4.7欧。上管是3.310欧。上管的snuber的电阻电容网络,有2个作用:a: 降低电感上升过充,下降过充,减少EMCEMIb: 会影响负载调整率。可以用示波器观察。
  六:FB(第6脚)的参考值是0.95V。设计值是1.0V,实际值有偏差。不过不影响使用。
七:补偿网络,看具体应用,需要快速响应的,就用很少的电容,不需要快速响应的,用大点的电容,我自己经验都不影响稳定(理论上是影响的)。具体在音箱市场,我赞成快速响应。

此帖出自移动便携论坛

Hb6803应用指南.docx

12.85 KB, 下载次数: 6



回复

使用道具 举报

1万

TA的帖子

300

TA的资源

版主

Rank: 6Rank: 6

发表于 2018-4-10 14:18:37 | 显示全部楼层
没看出来多大功率
输入输出参数没有


回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

  • 论坛活动 E手掌握

    扫码关注
    EEWORLD 官方微信

  • EE福利  唾手可得

    扫码关注
    EE福利 唾手可得

小黑屋|手机版|Archiver|电子工程世界 ( 京ICP证 060456

GMT+8, 2018-9-20 12:17 , Processed in 0.094483 second(s), 18 queries , Gzip On, Redis On.

快速回复 返回顶部 返回列表