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格芯以安徽.大时代eVaderis超低怎么样耗电MCU参考设计强化

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一粒金砂(初级)

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发表于 2018-3-5 09:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

    今日,格芯与eVaderis共同宣布,将共同开发超低功耗MCU参考设计方案,该方案基于格芯22nm FD-SOI(22FDX?)平台的嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与eVaderis的超低耗电IP结合,适合包括电池供电的物联网产品、消费及工业用微处理器、车用控制器等各种应用。
    eVaderis的 MCU 设计充分利用了 22FDX 平台高效的电源管理能力,相较于上一代 MCU,电池续航力可提高到10 倍以上,同时芯片尺寸大幅降低。这项由格芯FDXcelerator?合作项目(FDXcelerator? Partner Program)开发的技术,所提供的高器件密度、低成本的单芯片解决方案,特别符合对功耗敏感的应用,可帮助芯片设计人员将效能、密度以及易用性推向新的高度。
    “eVaderis创新架构的超低耗电 MCU IP 设计以格芯 22FDX eMRAM技术为基础打造,非常适合常闭的(normally-off)物联网应用。”eVaderis总裁兼首席执行官 Jean-Pascal Bost表示,“以格芯eMRAM作为工作内存,可让MCU的部分电路更频繁的下电,而不会引起MCU的性能损失。eVaderis希望能在今年年底之前将这项通过验证的 IP 提供给客户。”
    “穿戴式和物联网装置需要耐久的电池续航力、更高的运行能力并集成先进的传感器。”格芯嵌入式存储器事业部副总裁 Dave Eggleston 表示,“身为FDXcelerator合作伙伴,eVaderis运用基于格芯 22FDX 的eMRAM技术,开发全新的MCU架构,帮助客户达成更高的需求。”
    格芯与eVaderis基于格芯22FDX 的eMRAM技术共同开发的参考设计将于 2018 年第 4 季面世。包含有eMRAM和射频解决方案的22FDX设计套件现已发布。用于客户进行原型验证的多项目晶圆(MPW)已经开放,现成的eMRAM模块也已提供,有Flash 和SRAM两种接口方案可供选择,使得客户可以更容易地进行产品设计。格芯预计eMRAM将在 2018 年开始小批量生产。
来源:EEWorld 信息发布板块,转载请附上链接


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