9982|12

210

帖子

0

资源

一粒金砂(中级)

此充电电路PMOS管寄生二极管压降问题 [复制链接]

 
如图,是一个常用到的充电电路,实际Q411使用的PMOS管型号为CJ3401,规格参数如图,工作原理是当5V不接入的时候,因Q411栅极通过电阻接地,MOS管沟道导通,当5V接入时,VGS小于开启电压,PMOS沟道关闭;
这里有一个疑问,就是当5V不接入时,实际测量到D端和S端是没有压降的,两端都是4.19V(等于VBAT电压),但是看规格书其体二极管是有压降的(VGS=0V,Is=-1A时,VSD=-1V),想请问下,这里的PMOS接法采用的是D到S电流流向,那么导通工作时其体二极管两端不应该有压降吗?为何测出来没有?我理解的S端电压应该=VBAT电压 - 二极管压降。感谢各位老师!

此帖出自模拟电子论坛
充电管理.png
CJ3410.png

回复

1万

帖子

143

资源

版主

只要有足够电流,压降就显现了。

点评

是的,实际测试了系统load 200mA时,压降在11mv.  详情 回复 发表于 2017-9-13 14:55
个人签名上传了一些书籍资料,也许有你想要的:http://download.eeworld.com.cn/user/chunyang

回复

2万

帖子

339

资源

版主

表中给出是在Is1A 时寄生二极管正向电压
D极和S极之间的内电阻Rds(on)决定DS压降,,MOS导通时压降很小,取决于导通时Rds(on)的值

回复

2万

帖子

0

资源

超级版主

当5V不接入时,实际测量到D端和S端是没有压降的,两端都是4.19V(等于VBAT电压)

此时MOS管导通,漏极源极之间电阻很小,你的负载电流估计也很小,所以压降更小。

点评

是的,负载电流uA级,实际测试了下,数据整理如上,压降约0.016mv  详情 回复 发表于 2017-9-13 14:59

回复

210

帖子

0

资源

一粒金砂(中级)

谢谢各位老师,基本已经理清楚了,根据实际测试结果我分析整理如下(有不到位的地方还请再帮忙指出,感谢):
1>  上电瞬间PMOS管沟道截止,电流从二极管过,S端电压为VBAT电压减去体二极管压降,实际用示波器抓到S端的波形,如图,上电瞬[img][/img]间电压跳变0V---2.96V---4.19V,可算出体二极管上压降为1.23V,我判断是上电瞬间主板上的电容充电瞬间电流比较大,造成其压降较大,不知理解是否正确呢?
2>  上电结束后,S端的电压稳定在4.19V,跟VBAT一样,是因为Vgs=-2.96V,沟道已导通(且根据数据手册显示Vgs=-2.5V时Rds(on)=90mΩ,则Vgs=-2.96V时Rds(on)会更小,在75mΩ~90mΩ之间),此时沟道电阻极小,电流不再走体二极管,体二极管截止,所以DS两端压降转变为为Rds(on)的压降;而此时系统耗电在uA级,所以压降小的根本测不到(系统漏电按200uA计算,Rds(on)取80,则压降约0.016mV),所以测出来都是4.19V了;
3>  测了下开机后的Vds,系统开机(负载平均功耗为200mA),此时用万用表测到压降为11mV

Vs.png

回复

210

帖子

0

资源

一粒金砂(中级)

chunyang 发表于 2017-9-12 18:20
只要有足够电流,压降就显现了。

是的,实际测试了系统load 200mA时,压降在11mv.

回复

210

帖子

0

资源

一粒金砂(中级)

maychang 发表于 2017-9-12 19:09
当5V不接入时,实际测量到D端和S端是没有压降的,两端都是4.19V(等于VBAT电压)

此时MOS管导通,漏极源 ...

是的,负载电流uA级,实际测试了下,数据整理如上,压降约0.016mv

回复

7

帖子

0

资源

一粒金砂(初级)

elec32156 发表于 2017-9-13 14:49
谢谢各位老师,基本已经理清楚了,根据实际测试结果我分析整理如下(有不到位的地方还请再帮忙指出,感谢) ...

我想问下系统耗电在uA级是怎么看出来的?

回复

366

帖子

0

资源

一粒金砂(高级)

“工作原理是当5V不接入的时候,因Q411栅极通过电阻接地,MOS管沟道导通”,当5V不接入的时候,VGS不是等于0吗?为什么会导通呢?我的猜想:是不是因为体二极管导通?还是5v切断瞬间,MOS结电容放电,导致S端有电压,从而VGS满足PMOS管导通的条件。请指导,谢谢!

回复

366

帖子

0

资源

一粒金砂(高级)

“上电结束后,S端的电压稳定在4.19V,跟VBAT一样,是因为Vgs=-2.96V,沟道已导通” ,你开头不是说5V接上,PMOS管截止么?怎么这里又说导通。。。而且5V接上的时候,Vgs=(5*47000/47100)-5,,,接近0V啊,也不是你说的VGS=-2.96,请指导,谢谢!

回复

1

帖子

0

资源

一粒金砂(初级)

这个帖子我受益良多,感谢!


回复

13

帖子

2

资源

一粒金砂(初级)

若一般充电DS反接也能达到效果。显然设计者的目的不在能不能充放电,设计者要解决的问题应该是电池电压判定准确的目的。原理图的接法我很喜欢。


回复

6

帖子

0

资源

一粒金砂(初级)

为什么17年的帖子还能在首页


回复
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

查找数据手册?

EEWorld Datasheet 技术支持

最新文章 更多>>
    关闭
    站长推荐上一条 1/9 下一条

    About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

    站点相关: 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

    北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

    电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2022 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
    快速回复 返回顶部 返回列表