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[求助] 此充电电路PMOS管寄生二极管压降问题

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一粒金砂(中级)

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发表于 2017-9-12 17:48:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
如图,是一个常用到的充电电路,实际Q411使用的Pmos管型号为CJ3401,规格参数如图,工作原理是当5V不接入的时候,因Q411栅极通过电阻接地,MOS管沟道导通,当5V接入时,vgs小于开启电压,PMOS沟道关闭;
这里有一个疑问,就是当5V不接入时,实际测量到D端和S端是没有压降的,两端都是4.19V(等于VBAT电压),但是看规格书其体二极管是有压降的(VGS=0V,Is=-1A时,VSD=-1V),想请问下,这里的PMOS接法采用的是D到S电流流向,那么导通工作时其体二极管两端不应该有压降吗?为何测出来没有?我理解的S端电压应该=VBAT电压 - 二极管压降。感谢各位老师!

此帖出自模拟电子论坛
充电管理.png
CJ3410.png


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技术导师勋章

发表于 2017-9-12 18:20:26 | 显示全部楼层
只要有足够电流,压降就显现了。

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是的,实际测试了系统load 200mA时,压降在11mv.  详情 回复 发表于 2017-9-13 14:55
上传了一些书籍资料,也许有你想要的:http://download.eeworld.com.cn/user/chunyang


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发表于 2017-9-12 18:28:51 | 显示全部楼层
表中给出是在Is1A 时寄生二极管正向电压
D极和S极之间的内电阻Rds(on)决定DS压降,,MOS导通时压降很小,取决于导通时Rds(on)的值


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maychang

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发表于 2017-9-12 19:09:08 | 显示全部楼层
当5V不接入时,实际测量到D端和S端是没有压降的,两端都是4.19V(等于VBAT电压)

此时MOS管导通,漏极源极之间电阻很小,你的负载电流估计也很小,所以压降更小。

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是的,负载电流uA级,实际测试了下,数据整理如上,压降约0.016mv  详情 回复 发表于 2017-9-13 14:59


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2017-9-13 14:49:55 | 显示全部楼层
谢谢各位老师,基本已经理清楚了,根据实际测试结果我分析整理如下(有不到位的地方还请再帮忙指出,感谢):
1>  上电瞬间PMOS管沟道截止,电流从二极管过,S端电压为VBAT电压减去体二极管压降,实际用示波器抓到S端的波形,如图,上电瞬[img][/img]间电压跳变0V---2.96V---4.19V,可算出体二极管上压降为1.23V,我判断是上电瞬间主板上的电容充电瞬间电流比较大,造成其压降较大,不知理解是否正确呢?
2>  上电结束后,S端的电压稳定在4.19V,跟VBAT一样,是因为Vgs=-2.96V,沟道已导通(且根据数据手册显示Vgs=-2.5V时Rds(on)=90mΩ,则Vgs=-2.96V时Rds(on)会更小,在75mΩ~90mΩ之间),此时沟道电阻极小,电流不再走体二极管,体二极管截止,所以DS两端压降转变为为Rds(on)的压降;而此时系统耗电在uA级,所以压降小的根本测不到(系统漏电按200uA计算,Rds(on)取80,则压降约0.016mV),所以测出来都是4.19V了;
3>  测了下开机后的Vds,系统开机(负载平均功耗为200mA),此时用万用表测到压降为11mV

Vs.png


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2017-9-13 14:55:49 | 显示全部楼层
chunyang 发表于 2017-9-12 18:20
只要有足够电流,压降就显现了。

是的,实际测试了系统load 200mA时,压降在11mv.


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2017-9-13 14:59:28 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2017-9-12 19:09
当5V不接入时,实际测量到D端和S端是没有压降的,两端都是4.19V(等于VBAT电压)

此时MOS管导通,漏极源 ...

是的,负载电流uA级,实际测试了下,数据整理如上,压降约0.016mv


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