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如何选择低功耗非易失性存储器应用在智能电表

 
磁性存储器(MRAM)目前应用于工业自动化工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。MRAM的特性不仅使其适用于上述应用,而且它还以其低功耗和高耐用性(图1)的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。 (, 下载次数: 0)
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everspin早些年就用MRAM专为汽车产业和安装有电机的工业控制机械等设计,且符合严苛的汽车行业AEC Q10可以0标准规范。型号多种,
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智能电表存储解决方案采用MRAM磁性存储芯片来解决存储问题,可以无限次涮新刷写,掉电数据不丢失,
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本帖最后由 英尚微电子 于 2018-5-3 14:47 编辑

everspin并行接口MRAM
Density        Org.                 Part Number        Pkg.               Voltage         Temp
16Mb        1Mx16        MR4A16BYS35           54-TSOP           3.3V              0℃ to +70℃
16Mb        1Mx16        MR4A16BCYS35         54-TSOP           3.3V              -40℃ to +85℃
16Mb        1Mx16        MR4A16BMA35          48-BGA             3.3V              0℃ to +70℃
16Mb        1Mx16        MR4A16BCMA35        48-BGA             3.3V              -40℃ to +85℃
16Mb        2Mx8          MR4A08BYS35          44-TSOP            3.3V              0℃ to +70℃
16Mb        2Mx8          MR4A08BCYS35        44-TSOP            3.3V              -40℃ to +85℃
16Mb        2Mx8          MR4A08BMA35         48-BGA              3.3V              0℃ to +70℃
16Mb        2Mx8          MR4A08BCMA35       48-BGA              3.3V              -40℃ to +85℃
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磁性存储器(MRAM)目前应用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。
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与其他非易失性存储设备相比,MRAM的突出优点
1.  实时数据存储,无写入延迟或预备时间:EEPROM和NOR闪存都有写入延迟(5ms到10ms),导致无法进行数据字节写入。在需要快速记录计费信息或关键的时间标记信息等时候,FRAM速度快于任何其他非易失性存储器。

2.  近无限耐久性: 例如,具有100万亿次的写入周期耐久性。这种高耐久性是频繁写入系统不可或缺的。由于存储“区间数据”(用户电力使用、峰值功率、收费信息)变得愈加频繁,设计也日趋复杂,损耗平衡会增加系统设计的难度。

3.   低写入功耗:如图1所示,MRAM的瞬时写
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磁性存储器(MRAM)目前应用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。MRAM的特性不仅使其适用于上述应用,而且它还以其低功耗和高耐用性的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。
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与其他非易失性存储设备相比,MRAM的突出优点
1.  实时数据存储,无写入延迟或预备时间:EEPROM和NOR闪存都有写入延迟(5ms到10ms),导致无法进行数据字节写入。在需要快速记录计费信息或关键的时间标记信息等时候,FRAM速度快于任何其他非易失性存储器。

2.  近无限耐久性: 例如,具有100万亿次的写入周期耐久性。这种高耐久性是频繁写入系统不可或缺的。由于存储“区间数据”(用户电力使用、峰值功率、收费信息)变得愈加频繁,设计也日趋复杂,损耗平衡会增加系统设计的难度。

3.   低写入功耗:MRAM的瞬时写
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MRAM的突出优点
1.  实时数据存储,无写入延迟或预备时间:EEPROM和NOR闪存都有写入延迟(5ms到10ms),导致无法进行数据字节写入。在需要快速记录计费信息或关键的时间标记信息等时候,FRAM速度快于任何其他非易失性存储器。

2.  近无限耐久性: 例如,具有100万亿次的写入周期耐久性。这种高耐久性是频繁写入系统不可或缺的。由于存储“区间数据”(用户电力使用、峰值功率、收费信息)变得愈加频繁,设计也日趋复杂,损耗平衡会增加系统设计的难度。

3.   低写入功耗:如图1所示,MRAM的瞬时写入
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MRAM目前的应用前景非常大,适合用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用,特别是需要无限次擦写的应用
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磁性存储器(MRAM)目前应用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。MRAM的特性不仅使其适用于上述应用,而且它还以其低功耗和高耐用性(图1)的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。
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MRAM与NOR闪存、EEPROM、采用电池的传统静态存储器等其他同类技术相比,铁电存储器(FRAM)可降低系统成本,提高系统效率,降低复杂性,而且大大降低功耗。
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MRAM与NOR闪存、EEPROM、采用电池的传统静态存储器等其他同类技术相比,铁电存储器(FRAM)可降低系统成本,提高系统效率,降低复杂性,而且大大降低功耗。
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16Mb        1Mx16        MR4A16BYS35           54-TSOP           3.3V              0℃ to +70℃
16Mb        1Mx16        MR4A16BCYS35         54-TSOP           3.3V              -40℃ to +85℃
16Mb        1Mx16        MR4A16BMA35          48-BGA             3.3V              0℃ to +70℃
16Mb        1Mx16        MR4A16BCMA35        48-BGA             3.3V              -40℃ to +85℃
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