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如何选择低功耗非易失性存储器应用在智能电表

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一粒金砂(中级)

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发表于 2017-2-24 10:44:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
磁性存储器(MRAM)目前应用于工业自动化工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。MRAM的特性不仅使其适用于上述应用,而且它还以其低功耗和高耐用性(图1)的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。

MRAM存储器芯片

MRAM存储器芯片

   电子设计的一个主要考虑因素是降低总功耗的同时提高可靠性。设计人员必须考虑增加功能,同时减少系统的功率预算,以实现更长久的电池寿命。但是与此同时,嵌入式软件正变得日益复杂,需要配备更多的存储器,但这一点对功耗也有了进一步要求。
一般来讲,智能电表将计费和使用数据存储在安全的NV存储器内。MRAMs具有出色的防篡改特点,并且单元结构可防止未经授权读取数据,因而很好地确保了安全性。传统类型的存储器将数据存储为电荷,未经授权者可通过扫描进行篡改。MRAM将数据作为极化状态进行存储,因此具有较少的暴露和被篡改的风险。

MRAM 存储器芯片

MRAM 存储器芯片
                   与其他非易失性存储设备相比,MRAM的突出优点
1.  实时数据存储,无写入延迟或预备时间:eeprom和NOR闪存都有写入延迟(5ms到10ms),导致无法进行数据字节写入。在需要快速记录计费信息或关键的时间标记信息等时候,FRAM速度快于任何其他非易失性存储器。

2.  近无限耐久性: 例如,具有100万亿次的写入周期耐久性。这种高耐久性是频繁写入系统不可或缺的。由于存储“区间数据”(用户电力使用、峰值功率、收费信息)变得愈加频繁,设计也日趋复杂,损耗平衡会增加系统设计的难度。

3.   低写入功耗:如图1所示,MRAM的瞬时写



此内容由EEWORLD论坛网友英尚微电子原创,如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处
入和低有效写入电流的特性,使得依靠电池运行的系统可更为轻松地延长其运行寿命。

4.   安全可靠的数据存储:收费信息是非易失性存储器上存储的最重要信息之一。例如,全球的电力提供商都会遇到很多关于收费真实性的难题。FRAM具有数据存储安全的固有优势,有助灵活实施和简化基于闪存或EEPROM的设计。

总结如下:
   MRAM与NOR闪存、EEPROM、采用电池的传统静态存储器等其他同类技术相比,铁电存储器(FRAM)可降低系统成本,提高系统效率,降低复杂性,而且大大降低功耗。





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存储芯片/MCU/SRAM/PSRAM/DDR/FLASH/MRAM。web.www.sramsun.com  QQ3161422826 TEL:13751192923


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2017-8-7 10:38:19 | 显示全部楼层
everspin早些年就用MRAM专为汽车产业和安装有电机的工业控制机械等设计,且符合严苛的汽车行业AEC Q10可以0标准规范。型号多种,
存储芯片/MCU/SRAM/PSRAM/DDR/FLASH/MRAM。web.www.sramsun.com  QQ3161422826 TEL:13751192923


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