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海飞乐技术(HighSemi)完全替换美高森美(Microsemi) SOT-227封装FRED


随着装置工作开关频率的提高,若没有FRED给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器,那么IGBT、功率MOSFET等开关器件就不能发挥其功能和独特作用,这是由FRED关断特性参数(反向恢复时间t、反向恢复电荷Q、反向峰值电流的作用所致。最佳参数的FRED与高频开关器件协调工作,使高频逆变电路内因开关器件换相所引起的过电压尖峰、高频干扰电压及EMI降至最低,使开关器件的功能得到充分发挥。超快恢复时间

大电流能力

高抗浪涌电流能力

低正向压降

低反向漏电流

随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展,FRED作为一种高频器件也得到蓬勃发展,现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内,起到高频整流、续流。吸收、隔离和箝位的作用,这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起推动作用。这些高效、节能、节电和节材,并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源,对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。


大功率快速软恢复二极管主要应用在高频电力电子电路中,它与主回路中的晶闸管或IGBT等新型电力半导体开关器件相并联,开关器件反向时,流过负载中的无功电流,减小电容的充电时间,同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的过电压尖峰。为了提高开关器件及电力电子线路的可靠性和稳定性,必须使用快速软恢复二极管。

快速软恢复二极管可以减少高频电路的损耗。在硬开关过程中存在的主要问题是:二极管反向恢复电流(Irm)增加了开关器件开通损耗率,并且在快速di/dt开关时能够产生电磁干扰。如果反向恢复电流很快回到零点,就会产生尖峰电压和电磁干扰。降低开关速度或使用缓冲电路可以降低尖峰电压。增加缓冲电路会增加电路成本并且使电路设计变复杂。这都是我们所不希望的。


海飞乐技术完全替换以下型号:


APT2x101DQ60J

APT2x100DQ60J

APT2X31S20J

APT2X101S20J

APT2X31D120J 1200V 30A

APT2X30D120J 1200V 30A

APT2X31D20J  200V 30A

APT2X30D20J  200V30A

APT2X31D40J  400V 30A

APT2X30D40J  400V 30A

APT2X31D60J  600V 30A

APT2X30D60J   600V30A

APT2X61D100J 1000V 55A

APT2X60D100J 1000V 55A

APT2X61D20J  200V 60A

APT2X60D20J  200V60A

APT2X61D30J  300V 60A

APT2X60D30J   300V 60A

APT2X61D40J  400V 60A

APT2X60D40J   400V60A

APT2x31DQ120J  1200V 30A

APT2x30DQ120J  1200V 30A

APT2x31DQ60J  600V 30A

APT2x30DQ60J   600V 30A

APT2X61D60J  600V 60A

APT2X60D60J   600V 60A

APT2x61DQ100J 1000V 60A

APT2x60DQ100J  1000V 60A

APT2x61DQ120J 1200V 60A

APT2x60DQ120J  1200V 60A

APT2x61DQ60J  600V 60A

APT2x60DQ60J   600V 60A

APT2X61S20J    200V75A

APT2X31D30J   300V30A

APT2X30D30J   300V30A

APT2X31D100J 1000V 28A

APT2X30D100J  1000V 28A

APT2X101D30J

APT2X100D30J

APT2X101D60J

APT2X100D60J

APT2X101DL40J

APT2X101DL40J

APT2X151DL60J

APT2X150DL60J

APT2X101D20J  200V 100A

APT2X100D20J   200V100A

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海飞乐技术 SOT-227封装增加产品线:SOT-227封装 厚膜无感电阻

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