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电机控制时死区时间的设定 [复制链接]

 
在阅读电力电子三相逆变电路时看有关于死区时间的设定跟开关器件的开关速度有关,且与功率器件的关断时间有关 ,但没有说具体该怎么设定,而且在阅读别人的程序时看到别人设定的死区时间  现在想问一下这个死区时间具体怎么设定的  

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很详细的说明,maychang 你就是我心目中的老大  详情 回复 发表于 2018-1-31 14:09
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沙发
 
“在阅读电力电子三相逆变电路时看有关于死区时间的设定跟开关器件的开关速度有关,且与功率器件的关断时间有关”
正是如此。
设置死区,目的是避免两支功率管同时导通造成电源短路。
通常功率管(无论BJT还是MOSFET),其导通时间都短于关断时间。这样的话,两管驱动同时变化(一上升一下降)必定造成一管先导通但另一管尚未关断,共同导通造成电源短路。
所以,死区时间一定要大于关断时间和导通时间的差,这是最低限度。由于管子参数的分散性,通常要将前述时间放数倍,以策安全。
但死区时间也不能太大,因死区时间大了,会减少最大占空比。
 
 
 

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如果是编程进行PWM死区时间设置,一般可以参考一下有些芯片的时序即可
 
 
 

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本帖最后由 wr12306 于 2016-10-8 08:52 编辑
maychang 发表于 2016-10-7 16:37
“在阅读电力电子三相逆变电路时看有关于死区时间的设定跟开关器件的开关速度有关,且与功率器件的关断时间 ...

感谢您的回复  这里能不能举个例子方面解释下  麻烦了  以MOS80H12为例方便举个例子

NCE80H12.pdf.pdf

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该管datasheet中,单位的书写有不少错误。 大写S是电导单位西门子,小写才是时间单位秒。 电容单位前缀“皮”应该小写。  详情 回复 发表于 2016-10-9 16:06
很明显,对半桥或者全桥电路,一侧(上或者下)门极驱动脉冲结束后,另一侧门极驱动脉冲不能立即开始,否则就会造成上下两管“共同导通”。另一侧至少要经过[(3)+(4)]-[(1)+(2)]这么长时间才开始驱动。其中[(3)+(4)]  详情 回复 发表于 2016-10-9 16:02
[attachimg]261888[/attachimg] 上面波形是功率MOS管门极电压,下面波形是功率MOS管漏极电流。 图中可以看到,门极施加了足够的电压之后,漏极电流并非立即开始上升,而有一段延迟,上升也不是瞬时完成,而是倾斜  详情 回复 发表于 2016-10-9 15:48
[attachimg]261882[/attachimg] 这是该功率管datasheet截图。图中四个有关的时间标注为(1)、(2)、(3)、(4)。  详情 回复 发表于 2016-10-9 15:42
稍候,且待我慢慢画出波形图来,再解释手册中参数与波形的关系,以及死区是什么。  详情 回复 发表于 2016-10-8 18:48
 
 
 

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qwqwqw2088 发表于 2016-10-7 18:33
如果是编程进行PWM死区时间设置,一般可以参考一下有些芯片的时序即可

像您说的进行软件设置这个死区时间,不是应该先知道这个死区时间的具体值再通过软件表达出来吗?这个芯片的时序是指芯片的频率什么的  新人不太懂 请指教  这里能来个例子方便解释下  麻烦

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因为楼主想做三相逆变电路,肯定要有桥臂电路,控制峭壁电路的开关管,应该有个时序图吧,,控制开关管导通一般用MCU产生,,SPWEM波形等等,,死区设置是桥路电路安全要求,所说的软件设置是指MCU编程,要有个控制  详情 回复 发表于 2016-10-8 09:25
 
 
 

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wr12306 发表于 2016-10-8 08:49
像您说的进行软件设置这个死区时间,不是应该先知道这个死区时间的具体值再通过软件表达出来吗?这个芯片 ...

因为楼主想做三相逆变电路,肯定要有桥臂电路,控制峭壁电路的开关管,应该有个时序图吧,,控制开关管导通一般用MCU产生,,SPWEM波形等等,,死区设置是桥路电路安全要求,所说的软件设置是指MCU编程,要有个控制时序
 
 
 

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其实,无论什么方法三相逆变,各个桥臂是按照一定的规律输出一系列PWM方波来驱动的。从PWM控制技术的应用上可能有不同的实现方法,但你不论用什么实现方法,每一相的上下两个桥臂不可以同时导通,否则电源会通过上下两个桥臂形成短路出现烧毁及其它异常。
 
 
 

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wr12306 发表于 2016-10-8 08:43
感谢您的回复  这里能不能举个例子方面解释下  麻烦了  以MOS80H12为例方便举个例子

稍候,且待我慢慢画出波形图来,再解释手册中参数与波形的关系,以及死区是什么。
 
 
 

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wr12306 发表于 2016-10-8 08:43
感谢您的回复  这里能不能举个例子方面解释下  麻烦了  以MOS80H12为例方便举个例子


这是该功率管datasheet截图。图中四个有关的时间标注为(1)、(2)、(3)、(4)。
 
 
 

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wr12306 发表于 2016-10-8 08:43
感谢您的回复  这里能不能举个例子方面解释下  麻烦了  以MOS80H12为例方便举个例子


上面波形是功率MOS管门极电压,下面波形是功率MOS管漏极电流。
图中可以看到,门极施加了足够的电压之后,漏极电流并非立即开始上升,而有一段延迟,上升也不是瞬时完成,而是倾斜上升,上升过程也需要一定时间。门极电压变成零,漏极电流要延迟一段时间才开始下降,下降过程也是倾斜的,需要一定时间。
图中(1)、(2)、(3)、(4)与datasheet中标注对应。
 
 
 

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wr12306 发表于 2016-10-8 08:43
感谢您的回复  这里能不能举个例子方面解释下  麻烦了  以MOS80H12为例方便举个例子

很明显,对半桥或者全桥电路,一侧(上或者下)门极驱动脉冲结束后,另一侧门极驱动脉冲不能立即开始,否则就会造成上下两管“共同导通”。另一侧至少要经过[(3)+(4)]-[(1)+(2)]这么长时间才开始驱动。其中[(3)+(4)]就是我在2楼所说关断时间,[(1)+(2)]就是我在2楼所说导通时间。
考虑到管子分散性,这个时间通常放几倍余量,作为该电路死区时间的最小值。
 
 
 

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wr12306 发表于 2016-10-8 08:43
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该管datasheet中,单位的书写有不少错误。
大写S是电导单位西门子,小写才是时间单位秒。
电容单位前缀“皮”应该小写。
 
 
 

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maychang 发表于 2016-10-9 16:06
该管datasheet中,单位的书写有不少错误。
大写S是电导单位西门子,小写才是时间单位秒。
电容单位前缀 ...

万分感谢 maychang 的回复  除了感谢就是感谢  这个懂困扰了我一段时间了 ,知道死区时间这回事 ,也知道为什么会有这个死区时间,但就是不知道具体怎么计算的   多谢您的回复了
 
 
 

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非常感谢各位答主和楼主,让我这个路人也解惑不少,感谢
 
 
 

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很详细的说明,maychang 你就是我心目中的老大
 
 
 

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