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[讨论] MOST管开关电路

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一粒金砂(中级)

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发表于 2015-8-10 15:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
电路如下图所示:

Q2是Pmos管,FDN338P,Q1是Nmos管FDN335N,当GPIO为高电平的时候,Q2可以正常导通,VBAT电压等于VBAT_IN,但是当GPIO输入低电平的时候,按原理图来分析Q2应该截止,VBAT为0V才对,但是经过测量,VBAT电压为2.7V左右,调试很久都找不出为什么?希望各位朋友能帮忙分析下原因,谢谢!
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发表于 2015-8-10 16:28 | 显示全部楼层
1、Q2符号仍为N沟MOS。
2、R1数值多大?

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符号知道是错的,但是管脚没错。 R1R2均为47K  详情 回复 发表于 2015-8-10 16:32


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2015-8-10 16:32 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2015-8-10 16:28
1、Q2符号仍为N沟MOS。
2、R1数值多大?

符号知道是错的,但是管脚没错。
R1R2均为47K


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裸片初长成(初级)

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发表于 2015-8-10 16:53 | 显示全部楼层
或是VBAT后面的电路造成的。切断后面的电路,VBAT接一电阻到地看看能否把电压截到0V。

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现在测量的结果是,当GPIO输入0V的时候,Q1的D极居然有0.6V的电压,按理应该是等于VBAT_IN才对啊!现在Q1的D极有0.6V的电压,Q2就处于半导通的状态了,没有进入截止状态……这是什么原因造成的啊?  详情 回复 发表于 2015-8-10 17:02


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2015-8-10 17:02 | 显示全部楼层
仙猫 发表于 2015-8-10 16:53
或是VBAT后面的电路造成的。切断后面的电路,VBAT接一电阻到地看看能否把电压截到0V。

现在测量的结果是,当GPIO输入0V的时候,Q1的D极居然有0.6V的电压,按理应该是等于VBAT_IN才对啊!现在Q1的D极有0.6V的电压,Q2就处于半导通的状态了,没有进入截止状态……这是什么原因造成的啊?

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检查下吧你都电阻拉低了没有可能在GPIO拉低的时候还有电压输出,猜测有没有可能是助焊剂清洗不干净  详情 回复 发表于 2015-8-10 17:09


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一粒金砂(高级)

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发表于 2015-8-10 17:09 | 显示全部楼层
seanwaye 发表于 2015-8-10 17:02
现在测量的结果是,当GPIO输入0V的时候,Q1的D极居然有0.6V的电压,按理应该是等于VBAT_IN才对啊!现在Q1 ...

检查下吧你都电阻拉低了没有可能在GPIO拉低的时候还有电压输出,猜测有没有可能是助焊剂清洗不干净

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GPIO测量过了,输出的是0V,但是Q1的D极电压是0.6V,不是VBAT_IN,不知道为何Q1的D极电压不是VBAT_IN  详情 回复 发表于 2015-8-10 17:15


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2015-8-10 17:15 | 显示全部楼层
dragongtr 发表于 2015-8-10 17:09
检查下吧你都电阻拉低了没有可能在GPIO拉低的时候还有电压输出,猜测有没有可能是助焊剂清洗不干净

GPIO测量过了,输出的是0V,但是Q1的D极电压是0.6V,不是VBAT_IN,不知道为何Q1的D极电压不是VBAT_IN


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发表于 2015-8-10 18:42 | 显示全部楼层
非常简单的电路,还出现这样的问题。
两支管子似乎都漏电。
如果手头还有未焊接的管子,直接用指针式万用表测量(数字表需要另加电池,麻烦),如果没有未焊接的管子,把板子上的两支MOS管拆下来测量。
想不出其它更直接的方法了。

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里面的寄生二极管漏电了,不知道有何方法可以改善。看大多数关于场效应的开关电路图好像都没做这方面的处理,难道他们的电路不会有这方面的问题吗?  详情 回复 发表于 2015-8-10 18:52


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一粒金砂(中级)

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 楼主| 发表于 2015-8-10 18:52 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2015-8-10 18:42
非常简单的电路,还出现这样的问题。
两支管子似乎都漏电。
如果手头还有未焊接的管子,直接用指针式万用 ...

里面的寄生二极管漏电了,不知道有何方法可以改善。看大多数关于场效应的开关电路图好像都没做这方面的处理,难道他们的电路不会有这方面的问题吗?

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你根据什么判断是寄生二极管漏电? 良好的功率MOS管,最大漏极电压下零门极电压时,漏极电流通常10uA以下。  详情 回复 发表于 2015-8-10 18:58


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发表于 2015-8-10 18:58 | 显示全部楼层
seanwaye 发表于 2015-8-10 18:52
里面的寄生二极管漏电了,不知道有何方法可以改善。看大多数关于场效应的开关电路图好像都没做这方面的处 ...

你根据什么判断是寄生二极管漏电?

良好的功率MOS管,最大漏极电压下零门极电压时,漏极电流通常10uA以下。

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如果按照你这个思路的话,如果是个别的mos管漏电流造成的,那我换几个好的应该能正常,现在是我换了不同型号的几个mos管都是一样的现象,这不应该是这些都有问题吧?  详情 回复 发表于 2015-8-10 19:02


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 楼主| 发表于 2015-8-10 19:02 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2015-8-10 18:58
你根据什么判断是寄生二极管漏电?

良好的功率MOS管,最大漏极电压下零门极电压时,漏极电流通常10uA ...

如果按照你这个思路的话,如果是个别的mos管漏电流造成的,那我换几个好的应该能正常,现在是我换了不同型号的几个mos管都是一样的现象,这不应该是这些都有问题吧?

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一共四个元器件(C1C2无关,不知道你为什么把C1C2画出来),连电路板算是五件。你只能分开一个一个地检测。 “现在是我换了不同型号的几个mos管都是一样的现象” 前几帖你并没有告诉大家你换过管子。另外,电路板  详情 回复 发表于 2015-8-10 19:45


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发表于 2015-8-10 19:45 | 显示全部楼层
seanwaye 发表于 2015-8-10 19:02
如果按照你这个思路的话,如果是个别的mos管漏电流造成的,那我换几个好的应该能正常,现在是我换了不同 ...

一共四个元器件(C1C2无关,不知道你为什么把C1C2画出来),连电路板算是五件。你只能分开一个一个地检测。

“现在是我换了不同型号的几个mos管都是一样的现象”
前几帖你并没有告诉大家你换过管子。另外,电路板可没有换过,还是原来那块吧?

“那我换几个好的应该能正常”
你在换之前检测过吗?确定换上去的是完好的?


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发表于 2015-8-10 20:17 | 显示全部楼层
Q1换成NPN三极管,如2N3904,随便用,我不建议你用MCU的IO直接驱动MOS,如果VBAT大于MCU的高电平,你MOS管那里永远是低电平,肯定关不死的?不信你试试?简单的示意图,应用到我的产品中的图
1.png

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其实我贴的那个图是OLED厂家提供的参考电路,这个图是他们量产后产品的电路图,他不应该把有缺陷的图发出来给大家参考把?我现在也在考虑直接用1个NPN的三极管控制了,简单还没这么多奇怪的问题,以前用场管做高频开  详情 回复 发表于 2015-8-10 21:43


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 楼主| 发表于 2015-8-10 21:43 | 显示全部楼层
ylyfxzsx 发表于 2015-8-10 20:17
Q1换成NPN三极管,如2N3904,随便用,我不建议你用MCU的IO直接驱动MOS,如果VBAT大于MCU的高电平,你MOS管那 ...

其实我贴的那个图是OLED厂家提供的参考电路,这个图是他们量产后产品的电路图,他不应该把有缺陷的图发出来给大家参考把?我现在也在考虑直接用1个NPN的三极管控制了,简单还没这么多奇怪的问题,以前用场管做高频开关也没发现这样的问题……真是纠结啊!没找出问题出在哪里,心里老是很别扭


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