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[讨论] MOS尖峰

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一粒金砂(初级)

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发表于 2015-7-29 20:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
我采用的电路如下图所示,但是测的R3两端的波形如下图所示,有很大的尖峰,大家有没有谁知道怎么抑制或吸收尖峰啊
此帖出自LED专区论坛
L4NG%7J{XIJQU12Q5]9JK5A.png
没有加RCD 1欧两端波形.bmp


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发表于 2015-7-29 22:36 | 显示全部楼层
把R1的10欧适当增大到30欧再测量一下


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超级版主

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发表于 2015-7-30 00:13 | 显示全部楼层
基本正常。这是驱动脉冲前后沿经门极-源极之间电容产生的。



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一粒金砂(初级)

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 楼主| 发表于 2015-7-30 09:52 | 显示全部楼层
qwqwqw2088 发表于 2015-7-29 22:36
把R1的10欧适当增大到30欧再测量一下

我把R1换成100欧的都没什么效果,也不知道是哪儿出的问题

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10欧换100欧没有效果,怀疑测量误差 一个mos管驱动电阻的增大,一定会改变驱动电压上升很缓慢,驱动电阻增加可以降低MOS开关的时候得电压电流的变化率,要不再增大一些看看极限情况。 看楼主的图频率不是很高,应该  详情 回复 发表于 2015-7-30 10:59


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一粒金砂(初级)

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 楼主| 发表于 2015-7-30 09:53 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2015-7-30 00:13
基本正常。这是驱动脉冲前后沿经门极-源极之间电容产生的。

那有什么方法可以降低尖峰啊

点评

你想降低这个尖峰,目的是什么?  详情 回复 发表于 2015-7-30 13:21


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发表于 2015-7-30 10:59 | 显示全部楼层
shuishuode 发表于 2015-7-30 09:52
我把R1换成100欧的都没什么效果,也不知道是哪儿出的问题

10欧换100欧没有效果,怀疑测量误差
一个mos管驱动电阻的增大,一定会改变驱动电压上升很缓慢,驱动电阻增加可以降低MOS开关的时候得电压电流的变化率,要不再增大一些看看极限情况。
看楼主的图频率不是很高,应该有变化
要不就改变PWM,降低开关速度来减少反峰尖峰
需要看到变化再来解决问题,要不说明MOS管有问题


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五彩晶圆(初级)

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发表于 2015-7-30 11:36 来自手机 | 显示全部楼层
二极管先串联一个电阻之后在和r1并联。


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一粒金砂(初级)

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 楼主| 发表于 2015-7-30 13:13 | 显示全部楼层
elvike 发表于 2015-7-30 11:36
二极管先串联一个电阻之后在和r1并联。

这样能改善尖峰问题吗


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一粒金砂(初级)

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 楼主| 发表于 2015-7-30 13:15 | 显示全部楼层
qwqwqw2088 发表于 2015-7-30 10:59
10欧换100欧没有效果,怀疑测量误差
一个mos管驱动电阻的增大,一定会改变驱动电压上升很缓慢,驱动电阻 ...

我在mos的ds间并联了一个RDC电路,下面的尖峰有点变小,但是基本上没什么效果


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超级版主

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发表于 2015-7-30 13:21 | 显示全部楼层
shuishuode 发表于 2015-7-30 09:53
那有什么方法可以降低尖峰啊

你想降低这个尖峰,目的是什么?


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一粒金砂(中级)

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发表于 2015-7-31 22:06 | 显示全部楼层
shuishuode 发表于 2015-7-30 13:15
我在mos的ds间并联了一个RDC电路,下面的尖峰有点变小,但是基本上没什么效果

建議你把RDC並在R4位置, 另外加多一組RDC並於LED0位置


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一粒金砂(中级)

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发表于 2015-8-6 15:14 | 显示全部楼层
布线问题。


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一粒金砂(中级)

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发表于 2015-10-11 22:10 | 显示全部楼层
这应该是Gs间的寄生电容引起的  消除方法  减小R1电流 和在R4上增加 吸收 应该是有作用的


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